公开(公告)号：CN102403459B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201110325521.0

申请日：2011-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  鞠晨 ,  缪向水

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

CPC classification number: C22C12/00 ,  C22C1/10 ,  C22C28/00 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基材料及其制备方法，本发明硅掺杂的铋碲基材料的化学通式为BixTeySi100-(x+y)，其中x、y满足：0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。所发明的硅掺杂的铋碲基材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于相变存储器。与传统的用于相变存储器的GeTe、SiSbTe、GeSbTe等相变薄膜材料相比，本发明硅掺杂的铋碲基材料组分简单、相变速度更快、相变所需能量更低，且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种优异的相变存储器的新存储材料。

公开(公告)号：CN102403459A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110325521.0

申请日：2011-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  鞠晨 ,  缪向水

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00

CPC classification number: C22C12/00 ,  C22C1/10 ,  C22C28/00 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

Abstract: 本发明提供了一种用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基材料及其制备方法，本发明硅掺杂的铋碲基材料的化学通式为BixTeySi100-(x+y)，其中x、y满足：0＜x≤40，0＜y≤60，90≤x+y＜100。所发明的硅掺杂的铋碲基材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于相变存储器。与传统的用于相变存储器的GeTe、SiSbTe、GeSbTe等相变薄膜材料相比，本发明硅掺杂的铋碲基材料组分简单、相变速度更快、相变所需能量更低，且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种优异的相变存储器的新存储材料。