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公开(公告)号：CN105633111B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN105845173B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610165799.9
申请日：2016-03-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上；通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、蕴涵、逆蕴涵、多端与、多端与非、多端或、多端或非的逻辑功能；电路结构简单，实现的逻辑功能多样，电路结构简单、功耗低、具有非易失性。
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公开(公告)号：CN105845173A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610165799.9
申请日：2016-03-23
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C11/56 , H03K19/20 , H03K19/21 , G11C11/5678
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上；通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、蕴涵、逆蕴涵、多端与、多端与非、多端或、多端或非的逻辑功能；电路结构简单，实现的逻辑功能多样，电路结构简单、功耗低、具有非易失性。
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公开(公告)号：CN105633111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/222 , G11C11/15 , G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
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