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公开(公告)号：CN110211961A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910453229.3
申请日：2019-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种长纳米管3D NAND存储器及其制备方法，属于3D NAND闪存领域。该制备方法是在半导体衬底上沉积共源平面并在共源平面上制备AAO模板，以AAO模板作为长纳米管的模板，先通过化学修饰法在AAO模板的通孔内壁附着金属催化剂或活性基团，然后在AAO模板的通孔内壁沉积长纳米管；所述长纳米管为3D NAND存储器的沟道纳米管，或者为3D NAND存储器的芯壳型纳米线的外壳部分。本发明能够解决长纳米管难以在AAO模板的通孔中沉积的技术问题，有利于提高3D NAND存储器的堆叠高度。
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公开(公告)号：CN105633111B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN105161614A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510564452.7
申请日：2015-09-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结纳米单元结构及其制备方法。该方法包括：在基片上制备底电极；在底电极上覆盖电绝缘材料，形成绝缘层；利用聚焦离子束(Focus Ion Beam,FIB)铣蚀绝缘层得到纳米级开孔；在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，形成磁隧道结纳米单元；其中，功能层通过所述纳米级开孔与底电极形成纳米级接触，与顶电极形成微米级接触。本发明在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，减少了一次光刻步骤，且不涉及电子束光刻，能大幅降低成本，同时有效避免现有工艺中对功能层刻蚀可能造成的侧壁再沉积、自由层与钉扎层短路、膜层材料损伤等导致的器件性能退化甚至失效的问题。
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公开(公告)号：CN1967957A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610125129.0
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种接地变压器中性点直流电流抑制装置，属于电气工程技术领域。该装置的特征在于它含有隔直电容器、直接并联于隔直电容器两端的晶闸管固态开关及其触发单元、限流电抗器、旁路开关。本发明能有效地抑制由高压直流输电或地磁风暴引起的变压器中性点直流电流，避免了变压器由于直流偏磁导致的谐波增加、噪声增大、过热以及可能引起的保护误动等问题。本发明可以略去不控整流部分，使结构简化，成本降低；反向并联的晶闸管的关断结构简单，无需外接反向电压。
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公开(公告)号：CN106206935A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610553896.5
申请日：2016-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法，该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场，可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小，可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用，可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制，为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280809A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510582009.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为CoFe(R)/FePt结构；CoFe(R)/FePt结构由CoFe(R)层和FePt层叠加而成，CoFe(R)层较FePt层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺入R的CoFe，R为B、Al和Ni至少其中之一。本发明的磁隧道结能兼顾器件的小尺寸化、高热稳定性及与CMOS工艺的兼容性，因而能广泛应用于传感器、存储装置和逻辑计算装置中。
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公开(公告)号：CN110211961B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910453229.3
申请日：2019-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种长纳米管3D NAND存储器及其制备方法，属于3D NAND闪存领域。该制备方法是在半导体衬底上沉积共源平面并在共源平面上制备AAO模板，以AAO模板作为长纳米管的模板，先通过化学修饰法在AAO模板的通孔内壁附着金属催化剂或活性基团，然后在AAO模板的通孔内壁沉积长纳米管；所述长纳米管为3D NAND存储器的沟道纳米管，或者为3D NAND存储器的芯壳型纳米线的外壳部分。本发明能够解决长纳米管难以在AAO模板的通孔中沉积的技术问题，有利于提高3D NAND存储器的堆叠高度。
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公开(公告)号：CN105280809B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510582009.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为CoFe(R)/FePt结构；CoFe(R)/FePt结构由CoFe(R)层和FePt层叠加而成，CoFe(R)层较FePt层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺入R的CoFe，R为B、Al和Ni至少其中之一。本发明的磁隧道结能兼顾器件的小尺寸化、高热稳定性及与CMOS工艺的兼容性，因而能广泛应用于传感器、存储装置和逻辑计算装置中。
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公开(公告)号：CN105280806A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510583302.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存储装置及其存储方法。该装置包括第一磁性层、隔离层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层；隔离层、第二磁性层和第三磁性层设置在第一磁性层上，第二磁性层和第三磁性层位于第一磁性层的两端，隔离层位于第二磁性层和第三磁性层之间，第四磁性层设置在隔离层上；第二磁性层和第三磁性层在第一磁性层的两端形成第一被钉扎区和第二被钉扎区，第一被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相同，第二被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相反。本发明能有效降低MTJ结构自由层磁化翻转的临界电流密度，对自旋电子学在基础和应用方面的发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN114672545B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210453089.1
申请日：2022-04-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: C12Q1/6858 , C12Q1/6869
Abstract: 本发明属于生物技术领域，具体公开了一种6单碱基分辨率检测RNA中N‑异戊烯基腺嘌呤修饰的方法，包括：S1、向待检测RNA中加入碘，RNA上的N6‑异戊烯基腺嘌呤和碘发生加成反应，使得N6‑异戊烯基腺嘌呤的N1和N6位形成环化结构；S2、向加成反应后的RNA中加入AMV逆转录酶，RNA中的N1，N6环化腺嘌呤在AMV逆转录酶作用下逆转录成DNA的过程中，碱基互补配对时出现错误，通过核酸测序手段识别突变位点，从而得到RNA6上iA修饰位点。本发明方法能够高效、单碱基分辨率检测RNA中的i6A修饰，为i6A的单碱基分辨率的全转录组图谱提供理论依据，并有可能进一步阐明N6‑异戊烯基腺嘌呤生物学功能。
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