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公开(公告)号：CN105490164A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511022001.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种采用均匀光栅但可以实现单模的新型分布反馈激光器。该激光器包含有源区和反射区两个部分：有源区上注入电流，给激光器提供增益；反射区的外端面镀增透膜或采用抗反射的结构来降低反射；有源区的另外一端为激光器的输出端面，该端面镀有增透膜以减小反射。反射区光栅能够增大激光器的反馈，减小短腔长下阈值增益。有源区、反射区的光栅为连续均匀分布的分布反馈布拉格光栅，有源区、反射区的光栅周期相同，通过注入电流导致有源区和反射区之间的有效折射率差进行选模。本发明的激光器在均匀光栅时实现单模，并在短腔长的情况下仍具有较低的阈值增益，同时制作难度小。
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公开(公告)号：CN106483600B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611056211.2
申请日：2016-11-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种具有大制作容差的超短垂直波导耦合器。该耦合器垂直方向上由上波导、间隔层和下波导构成。在传播方向上，垂直耦合器分为输入区域、耦合区域以及输出区域。在耦合区域，上波导的宽度逐渐变小，分成前段、中段和后段；前段和后段为上波导宽度快速收缩段，中段为模式转移段。本发明通过减小上下波导之间的间隔层的厚度来增大耦合系数，从而缩短耦合器的长度；在耦合区域的中段，设置合适的上波导宽度递减速率以及合适的长度，使上波导的宽度因为实际制作精度的局限产生偏差时，上波导的模式仍然能向下波导高效转移，从而实现大的制作容差。
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公开(公告)号：CN106483600A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611056211.2
申请日：2016-11-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种具有大制作容差的超短垂直波导耦合器。该耦合器垂直方向上由上波导、间隔层和下波导构成。在传播方向上，垂直耦合器分为输入区域、耦合区域以及输出区域。在耦合区域，上波导的宽度逐渐变小，分成前段、中段和后段；前段和后段为上波导宽度快速收缩段，中段为模式转移段。本发明通过减小上下波导之间的间隔层的厚度来增大耦合系数，从而缩短耦合器的长度；在耦合区域的中段，设置合适的上波导宽度递减速率以及合适的长度，使上波导的宽度因为实际制作精度的局限产生偏差时，上波导的模式仍然能向下波导高效转移，从而实现大的制作容差。
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公开(公告)号：CN104993375A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510354846.X
申请日：2015-06-24
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01S3/0675 , H01S3/0623 , H01S3/0635 , H01S3/10023 , H01S3/1055 , H01S3/1305 , H01S5/0035 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/124 , H01S5/125 , H01S5/16
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种短腔长分布反馈激光器。该激光器含有增益区和反射区两个部分：增益区上存有金属电极，需要注入电流，给激光器提供增益；增益区的光栅层为含有λ/4相移区的分布反馈布拉格光栅；增益区的一端为反射区，该区域含有与增益区相同的芯层结构，即波导传输层同样为有源量子阱材料，但是该区域不注入电流；反射区的光栅层为均匀分布的布拉格光栅；反射区的外端面镀增透膜或采用抗反射的结构来降低反射；增益区的另外一端为激光器的输出端面，该端面镀有增透膜以减小反射。这种激光器方案可以使激光器在腔长较短的时仍然具有较低的阈值增益和好的边模抑制比，同时具有制作难度小的特点。
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