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公开(公告)号：CN102751659B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210244941.0
申请日：2012-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明公开了一种可调谐半导体激光器，激光器由前光栅区、有源区、相位区和后光栅区构成。前光栅和后光栅区设计为一种新型布拉格光栅，该光栅用来产生反射峰值均衡的梳状反射响应。利用游标卡尺效应，通过在前、后光栅注入电流改变光栅区的折射率值，从而实现宽谱的准连续调谐。本发明的激光器具有输出光功率高，每个信道的光功率均匀性好，动态波长切换速率高等优点。本发明的激光器的两个布拉格反射段还可以设计成为布拉格光栅的各种切趾和啁啾的形式。本发明的激光器也可以与半导体光放大器和电吸收调制器等器件集成。
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公开(公告)号：CN102751659A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210244941.0
申请日：2012-07-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明公开了一种可调谐半导体激光器，激光器由前光栅区、有源区、相位区和后光栅区构成。前光栅和后光栅区设计为一种新型布拉格光栅，该光栅用来产生反射峰值均衡的梳状反射响应。利用游标卡尺效应，通过在前、后光栅注入电流改变光栅区的折射率值，从而实现宽谱的准连续调谐。本发明的激光器具有输出光功率高，每个信道的光功率均匀性好，动态波长切换速率高等优点。本发明的激光器的两个布拉格反射段还可以设计成为布拉格光栅的各种切趾和啁啾的形式。本发明的激光器也可以与半导体光放大器和电吸收调制器等器件集成。
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公开(公告)号：CN103631086A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210297193.2
申请日：2012-08-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用，该方法包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。本发明能解决纳米压印方法用于集成光电子器件制作中的对准问题，大大提高纳米压印微纳图形的成品率。
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公开(公告)号：CN103066494A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310002636.5
申请日：2013-01-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/125
Abstract: 本发明提供一种可调谐半导体激光器，在前光栅区的上限制层、后光栅区的上限制层中分别制作有前多相移数字级联布拉格光栅、后多相移数字级联布拉格光栅。所述的前多相移数字级联布拉格光栅和后多相移数字级联布拉格光栅通过在数字级联布拉格光栅相邻取样周期间加入相移制作。本发明采用的多相移数字级联布拉格光栅的反射谱的峰值均匀性很好，由于多相移数字级联布拉格光栅通过反射谱的级联，反射谱带宽内反射信道数目增加了几倍，同时采用多相移技术，可以使多相移数字级联布拉格光栅反射谱的反射信道数目再次成倍增加，使激光器可达到的调谐范围更宽。
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公开(公告)号：CN202257025U
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201120316356.8
申请日：2011-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型提供了一种紫外纳米压印软模版固定及对准组件，其包括相对应的上平板(2)和下平板(3)，上平板(2)的上端面设有上真空孔(6)，上平板(2)的下端设有与上真空孔(6)相连通的上凹槽(4.1)，下平板(3)的上端设有下凹槽(4.2)，下平板(3)的下端面还设有与下凹槽(4.2)相连通的下真空孔(5)，上平板(2)和下平板(3)相紧密接触时，上凹槽(4.1)和下凹槽(4.2)组合成真空槽(4)。本实用新型可以方便地对紫外纳米压印软模版进行固定，并使其与压印基片精确对准，大大提高了紫外纳米压印的成品率。
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