公开(公告)号：CN103631086A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210297193.2

申请日：2012-08-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 余永林 ,  赵家霖 ,  唐怡超 ,  赵航

IPC: G03F7/00 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明公开了一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用，该方法包括：首先制作压印模版，并对压印模版和压印基片进行固定；然后将压印模版与压印基片对准并贴合，将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上；最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜，刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。本发明能解决纳米压印方法用于集成光电子器件制作中的对准问题，大大提高纳米压印微纳图形的成品率。

公开(公告)号：CN202257025U

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201120316356.8

申请日：2011-08-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐怡超 ,  余永林 ,  赵家霖

IPC: G03F7/00 ,  G03F9/00

Abstract: 本实用新型提供了一种紫外纳米压印软模版固定及对准组件，其包括相对应的上平板(2)和下平板(3)，上平板(2)的上端面设有上真空孔(6)，上平板(2)的下端设有与上真空孔(6)相连通的上凹槽(4.1)，下平板(3)的上端设有下凹槽(4.2)，下平板(3)的下端面还设有与下凹槽(4.2)相连通的下真空孔(5)，上平板(2)和下平板(3)相紧密接触时，上凹槽(4.1)和下凹槽(4.2)组合成真空槽(4)。本实用新型可以方便地对紫外纳米压印软模版进行固定，并使其与压印基片精确对准，大大提高了紫外纳米压印的成品率。