-
公开(公告)号：CN118052186B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410448186.0
申请日：2024-04-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/27
Abstract: 本申请涉及一种紧凑模型参数生成系统的构建方法及其参数生成方法，属于集成电路设计技术领域。构建方法包括：获取紧凑模型在不同参数取值下的输出特性曲线，包括Cgg‑Vgs曲线、较小漏源电压下的Ids‑Vgs曲线及Gm‑Vgs曲线、较大漏源电压下的Ids‑Vgs曲线：从曲线中提取关键物理特征信息并进行归一化处理后输入训练神经网络模型进行训练，得到紧凑模型参数生成系统，关键物理特征信息包括阈值电压、亚阈值摆幅、晶体管开启电流及关断电流、漏源电流积分值、晶体管跨导积分值以及栅电容最小值与最大值及其积分值。利用通过以上方法构建的紧凑模型参数生成系统，能够在保证提参精度的同时提高紧凑模型提参的速度。
-
公开(公告)号：CN118052186A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410448186.0
申请日：2024-04-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/27
Abstract: 本申请涉及一种紧凑模型参数生成系统的构建方法及其参数生成方法，属于集成电路设计技术领域。构建方法包括：获取紧凑模型在不同参数取值下的输出特性曲线，包括Cgg‑Vgs曲线、较小漏源电压下的Ids‑Vgs曲线及Gm‑Vgs曲线、较大漏源电压下的Ids‑Vgs曲线：从曲线中提取关键物理特征信息并进行归一化处理后输入训练神经网络模型进行训练，得到紧凑模型参数生成系统，关键物理特征信息包括阈值电压、亚阈值摆幅、晶体管开启电流及关断电流、漏源电流积分值、晶体管跨导积分值以及栅电容最小值与最大值及其积分值。利用通过以上方法构建的紧凑模型参数生成系统，能够在保证提参精度的同时提高紧凑模型提参的速度。
-
公开(公告)号：CN118033385B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410440690.6
申请日：2024-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/28 , G06F18/25 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件的紧凑模型参数提取模型的构建方法及应用，属于集成电路技术领域；所构建的模型包括多个特征提取单元，每一个特征提取单元只提取一种类型的电学特性曲线的特征，以确保不同曲线特征提取的独立性和准确性，从而有利于对缺少某类电学特性曲线的物理器件进行紧凑模型参数提取；与此同时，在特征融合阶段引入包含器件多模态信息的物理特征，使得该紧凑模型参数提取模型能够应对不同物理参数的器件紧凑模型的提取，从而让器件物理到电路设计联动起来，实现工艺设计协同优化；本发明所构建的紧凑模型参数提取模型实现了端到端的紧凑模型参数提取，能够高效准确地提取复杂集成电路器件的紧凑模型参数。
-
公开(公告)号：CN118033385A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410440690.6
申请日：2024-04-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/28 , G06F18/25 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件的紧凑模型参数提取模型的构建方法及应用，属于集成电路技术领域；所构建的模型包括多个特征提取单元，每一个特征提取单元只提取一种类型的电学特性曲线的特征，以确保不同曲线特征提取的独立性和准确性，从而有利于对缺少某类电学特性曲线的物理器件进行紧凑模型参数提取；与此同时，在特征融合阶段引入包含器件多模态信息的物理特征，使得该紧凑模型参数提取模型能够应对不同物理参数的器件紧凑模型的提取，从而让器件物理到电路设计联动起来，实现工艺设计协同优化；本发明所构建的紧凑模型参数提取模型实现了端到端的紧凑模型参数提取，能够高效准确地提取复杂集成电路器件的紧凑模型参数。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.012 seconds)
