公开(公告)号：CN102502659A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110310115.7

申请日：2011-10-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 蒋青松 ,  魏合林 ,  易林

IPC: C01B33/12

Abstract: 本发明公开了一种无裂缝的SiO2胶体晶体的制备方法，步骤为：①制备SiO2小球：②在600℃～700℃下烧结SiO2小球4～5小时，然后进行分散、静置和纯化；采用一般的固体作为基底；③将浓度为2.0～6.0wt％的SiO2小球胶体溶液，加热至79.1℃～79.4℃后保持恒温；在胶体溶液中插入基底；当胶体溶液中的溶剂挥发完毕时，取出胶体晶体，加热至90～110℃进行干燥处理4～5小时；④以胶体晶体作为基底，重复③，直到得到所需厚度的胶体晶体。该方法得到的胶体晶体具有结构稳定、厚度可控、超厚、无裂缝等优点。工艺简单，设备要求简单，具有安全、易操作和成本相对低廉等特点。

公开(公告)号：CN102502659B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110310115.7

申请日：2011-10-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 蒋青松 ,  魏合林 ,  易林

IPC: C01B33/12

Abstract: 本发明公开了一种无裂缝的SiO2胶体晶体的制备方法，步骤为：①制备SiO2小球：②在600℃～700℃下烧结SiO2小球4～5小时，然后进行分散、静置和纯化；采用一般的固体作为基底；③将浓度为2.0～6.0wt％的SiO2小球胶体溶液，加热至79.1℃～79.4℃后保持恒温；在胶体溶液中插入基底；当胶体溶液中的溶剂挥发完毕时，取出胶体晶体，加热至90～110℃进行干燥处理4～5小时；④以胶体晶体作为基底，重复③，直到得到所需厚度的胶体晶体。该方法得到的胶体晶体具有结构稳定、厚度可控、超厚、无裂缝等优点。工艺简单，设备要求简单，具有安全、易操作和成本相对低廉等特点。