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公开(公告)号：CN103487467A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310403030.2
申请日：2013-09-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺，步骤为：在基底上匀胶和光刻显影，形成叉指形状的光刻胶图形；将基底在保护气氛下进行热解，形成玻碳叉指电极；在玻碳叉指电极上匀胶并光刻显影；再次热解，得到具有气体敏感材料和加热部件的叉指电极气敏传感器。本发明利用光刻和热解技术先制作完成加热部件和气敏部分，不需要另外加上检测电路，以及另外旋涂敏感材料。本工艺的特点是将气体敏感材料部分和加热器件集成为一体，而且制作的工艺就是常规的光刻、热解等工艺，相对于现有的气敏传感器的加热部件具有尺寸小，耗费能量小，制作简单的优点。
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公开(公告)号：CN103588165B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310617991.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；（3）用PDMS模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；（4）用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；（5）将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单，便于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。
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公开(公告)号：CN103588165A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310617991.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；（3）用PDMS模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；（4）用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；（5）将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单，便于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。
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公开(公告)号：CN103487467B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310403030.2
申请日：2013-09-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成加热部件的微型气敏传感器的制作工艺，步骤为：①在基底上匀胶和光刻显影，形成叉指形状的光刻胶图形；②将基底在保护气氛下进行热解，形成玻碳叉指电极；③在玻碳叉指电极上匀胶并光刻显影；④再次热解，得到具有气体敏感材料和加热部件的叉指电极气敏传感器。本发明利用光刻和热解技术先制作完成加热部件和气敏部分，不需要另外加上检测电路，以及另外旋涂敏感材料。本工艺的特点是将气体敏感材料部分和加热器件集成为一体，而且制作的工艺就是常规的光刻、热解等工艺，相对于现有的气敏传感器的加热部件具有尺寸小，耗费能量小，制作简单的优点。
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