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公开(公告)号：CN111883185A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010488820.5
申请日：2020-06-02
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 甘棕松
IPC: G11B7/007
Abstract: 本发明公开了一种投影式超分辨光学数据的写入/读出方法及装置，属于光学数据存储领域。包括：选择一个存储介质和一种用于写入/读出的数据阵列格式；根据数据阵列格式向存储介质上单次投射出光斑图案，完成一个数据阵列的一次性写入/读出。投影出的光斑图案与数据阵列对应，一次投射就能将一个数据阵列全部写入/读出，仅需一次曝光时间，本发明可极大地提高写入/读出的速度。数据阵列格式所包含的内容越大，一次写入/读出的数据越多。因此，本申请可以应用于光刻、3D打印、三维微纳制造等(数据写入)各个领域，提高制造的速度；或应用在光学成像(数据读取)，例如STED显微成像等领域中，提高成像速度；或同时应用在数据存储的刻录及读取。
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公开(公告)号：CN111883185B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010488820.5
申请日：2020-06-02
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 甘棕松
IPC: G11B7/007
Abstract: 本发明公开了一种投影式超分辨光学数据的写入/读出方法及装置，属于光学数据存储领域。包括：选择一个存储介质和一种用于写入/读出的数据阵列格式；根据数据阵列格式向存储介质上单次投射出光斑图案，完成一个数据阵列的一次性写入/读出。投影出的光斑图案与数据阵列对应，一次投射就能将一个数据阵列全部写入/读出，仅需一次曝光时间，本发明可极大地提高写入/读出的速度。数据阵列格式所包含的内容越大，一次写入/读出的数据越多。因此，本申请可以应用于光刻、3D打印、三维微纳制造等(数据写入)各个领域，提高制造的速度；或应用在光学成像(数据读取)，例如STED显微成像等领域中，提高成像速度；或同时应用在数据存储的刻录及读取。
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公开(公告)号：CN112034691A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202011076048.2
申请日：2020-10-10
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 甘棕松
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置以及方法，属于投影光刻领域，投影光刻装置包括两种形式，一种为分体式，一种为合体式，分体式两束光分别进入两个物镜，合体式两束光共用一个物镜。本装备使用两束相同或不同波长的光，一束为制造光，另一束为辅助光，两束光被调制为光强阴阳文互补的图案，辅助光对制造光产生的图案边缘的衍射具有矫正作用，可以减低或者消除制造光产生的图案边缘的衍射模糊范围，从而达到超衍射极限的光刻分辨率。本发明适用于阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻的实现，相比传统光刻机减小光源波长来提高光刻分辨率的设计思路，本发明能大幅度降低光刻机制造难度和制造成本。
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公开(公告)号：CN110286560A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910413230.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F1/76
Abstract: 本发明公开了一种应用于双光束激光光刻的掩膜版制造方法，步骤包括：于掩膜基板表面依次沉积过渡层、金属层、抗反射层和光刻胶层，形成掩膜叠层；采用由制造光和辅助光组合形成的双光束激光，将光刻图案转印至所述光刻胶层上；对所述光刻胶层进行显影，除去由所述制造光辐照的光刻胶；对所述金属层和所述抗反射层进行腐蚀，并除去剩余光刻胶。本发明通过制造光与辅助光组合形成的双光束激光对掩膜叠层进行光刻，使所制掩膜版突破衍射极限，较单光束制备掩膜版的方案来说，特征尺寸缩小且分辨率提高；同时该方案较电子束制备掩膜版的方案来说，成本更低，效率更高。
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公开(公告)号：CN113156773B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110352405.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻领域，更具体地，涉及一种合作吸收双光束超分辨光刻系统及方法。该系统包括光源模块、光刻光路模块以及光刻胶模块；光源模块包括第一光源和第二光源，使用两束相同或不同波长的光，一束为制造光，另一束也为制造光，两束光被调制成平行光束，经过光刻镜头进行叠加，叠加部分形成叠加光斑，用于光刻制造，由于叠加部分的光场很小，从而达到超衍射极限的光刻分辨率。两束光对光刻胶材料共同作用，最终消除第一束光由衍射带来的对图案边缘的影响，使得图案更加明锐，提高分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113113065B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110350093.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/04
Abstract: 本发明属于光学数据存储领域，更具体地，涉及一种双光束超分辨光学数据的写入/读出方法及装置。选择一个存储介质和一种用于写入/读出的数据阵列格式；将第一光源出射的第一读写光经过光路形成的第一光斑和第二光源出射的第二读写光经过光路形成的第二光斑在存储介质上发生部分重叠，重叠部分形成叠加光斑，以完成该数据阵列格式中的一个数据点或该数据阵列格式的一次性写入/读出；存储介质只有被所述第一光源和第二光源出射的两束光同时作用或先后作用后才能够发生性质的改变；若只有其中的一束光对该存储介质进行作用，其不能发生性质的改变；本发明采用利用双光束边缘光合并能量实现光学数据存储，提高分辨率，增大存储容量。
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公开(公告)号：CN113156773A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110352405.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻领域，更具体地，涉及一种合作吸收双光束超分辨光刻系统及方法。该系统包括光源模块、光刻光路模块以及光刻胶模块；光源模块包括第一光源和第二光源，使用两束相同或不同波长的光，一束为制造光，另一束也为制造光，两束光被调制成平行光束，经过光刻镜头进行叠加，叠加部分形成叠加光斑，用于光刻制造，由于叠加部分的光场很小，从而达到超衍射极限的光刻分辨率。两束光对光刻胶材料共同作用，最终消除第一束光由衍射带来的对图案边缘的影响，使得图案更加明锐，提高分辨率。
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公开(公告)号：CN111880383A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010955012.5
申请日：2020-09-11
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 甘棕松
Abstract: 本发明公开一种高密度光刻图案处理方法，属于光刻技术领域，包括如下步骤：S1将目标高密度光刻图案分解为多个低密度光刻图案，分解后的多个低密度光刻图案形状相同或者不同，并且分解后的多个低密度光刻图案能相互拼接而还原成目标高密度光刻图案，S2采用投影式光刻方式在介质上获得多个低密度光刻图案，每一个低密度光刻图案需要一次单独曝光，S3移动多个低密度曝光图案与光刻胶材料的相对位置以最终改变多个低密度曝光图案之间的相对位置，从而由多个低密度曝光图案拼接得到目标高密度曝光图案。本发明方法可解决现有光刻技术中，采用缩短光波长的方法提高光刻分辨率所带来的一系列难题，能大幅度降低芯片制造难度和制造成本。
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公开(公告)号：CN110262193A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910413229.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于双光束光刻的光束对准系统及方法，具体步骤包括：设置双光束对准系统；发射第一光束并调整所述物镜，使所述第一光束依次经第一二向色镜、第二二向色镜和所述物镜后到达上转换荧光片表面，调节探测单元的光路位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处；发射所述第一光束和第二光束，调节所述第二二向色镜的位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处；沿光路方向调节所述物镜的位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处。本发明通过上转换荧光片激发反射的荧光信号强度来对准双光束焦点，使对准精度更高，且对准操作更为简洁迅速；同时，利用上转换荧光片的特性使成像的分辨率提高，进而使双光束对准更加准确。
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公开(公告)号：CN115028759A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210743675.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 华中科技大学
Inventor： 甘棕松
IPC: C08F2/46 , G03F7/031 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B23K26/064 , B23K26/067 , G11B7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于三线态上转换的激光制造方法及其应用。该方法包括：根据选取的敏化剂、湮灭剂、光引发剂和聚合单体制备光敏材料；根据微纳结构的加工文件，采用激发光按预设的移动轨迹对光敏材料进行辐照，加工得到微纳结构所需的所有生长结构；其中，在各移动轨迹点处的激发光辐照作用下，敏化剂分子吸收激发光发出的光能量跃迁至三线态，湮灭剂分子吸收三线态敏化剂分子能量后发生能级跃迁至三线态，处于三线态的湮灭剂分子之间相互碰撞发生湮灭，光引发剂分子用于吸收湮灭能量后跃迁到三线态，处于三线态的光引发剂分子裂解产生活性物质，与聚合单体相互作用，引发单体固化。本发明能实现低功率、低成本和高精度的微纳结构加工。
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