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公开(公告)号：CN118801108B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411280840.8
申请日：2024-09-13
Applicant: 武汉日新科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC: H01Q7/00 , H01Q1/22 , H01Q1/50 , H01Q5/30 , H01Q5/10 , H01Q5/50 , H01Q1/00 , H01Q1/38 , H01Q1/44
Abstract: 本发明公开一种双环形低频段光伏集成天线单元，光伏集成天线单元工作在90MHz‑120MHz频段，包括太阳能电池板和辐射天线，其特征在于：辐射天线采用一种辐射耦合双环结构，太阳能电池板边框作为辐射天线的外辐射环，耦合环部分的环形导体为内耦合环；耦合环部分和调谐桥部分安装在太阳能电池板上表面，且放置在各个太阳能电池片缝隙处，辐射天线不会对太阳能电池板的发电效率产生明显影响；辐射天线覆盖90MHz‑120MHz调频工作频带,具有优良的天线性能。本发明利用太阳能电池板边框作为辐射天线外辐射环,以组件表面作为耦合环的基座，实现了调频波段接收天线与太阳能电池板的相互融合，在外辐射源雷达电磁波信号检测方面具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN118801108A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411280840.8
申请日：2024-09-13
Applicant: 武汉日新科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC: H01Q7/00 , H01Q1/22 , H01Q1/50 , H01Q5/30 , H01Q5/10 , H01Q5/50 , H01Q1/00 , H01Q1/38 , H01Q1/44
Abstract: 本发明公开一种双环形低频段光伏集成天线单元，光伏集成天线单元工作在90MHz‑120MHz频段，包括太阳能电池板和辐射天线，其特征在于：辐射天线采用一种辐射耦合双环结构，太阳能电池板边框作为辐射天线的外辐射环，耦合环部分的环形导体为内耦合环；耦合环部分和调谐桥部分安装在太阳能电池板上表面，且放置在各个太阳能电池片缝隙处，辐射天线不会对太阳能电池板的发电效率产生明显影响；辐射天线覆盖90MHz‑120MHz调频工作频带,具有优良的天线性能。本发明利用太阳能电池板边框作为辐射天线外辐射环,以组件表面作为耦合环的基座，实现了调频波段接收天线与太阳能电池板的相互融合，在外辐射源雷达电磁波信号检测方面具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN116819670A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310637468.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于红外‑激光隐身技术领域，公开了一种雷达透波的红外‑激光隐身薄膜，自下而上包括基底、光子晶体多层薄膜结构以及顶面图案化结构，光子晶体多层薄膜结构是由折射率一高一低的两种在红外波段透明介质材料交替堆叠排列构成；顶面图案化结构用于实现表面相位调控；利用光子晶体多层薄膜结构对波长在预设目标波长附近的入射波的相长干涉效应，配合顶面图案化结构，能够调控反射波波前，降低垂直方向的镜面反射。本发明基于光子晶体高反射多层薄膜结构，利用相长干涉效应配合相位调控图案结构，能够通过相位调控反射电磁波波前，从而将垂直反射的电磁波偏转到其他方向，可实现8‑14μm红外波高镜面反射到高散射的转换，抑制镜面反射。
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公开(公告)号：CN115985673A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310170529.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种金属软磁粉末的高效绝缘包覆方法，属于软磁材料制备技术领域。将金属软磁粉末和聚合物加入到有机溶剂中，再进行造粒，获得表面包覆的金属软磁复合粉末；聚合物为硅烷聚合物、氮烷聚合物、硅氧烷聚合物或硅氮烷聚合物；然后压合成型，再加热固化，得到金属软磁复合材料，即实现金属软磁粉末的绝缘包覆。该方法将包覆、造粒、成型的工艺简化为造粒与包覆同步进行，并在退火过程中生成陶瓷包覆层；在性能方面，包裹于颗粒表面的陶瓷包覆层降低了金属软磁颗粒间的涡流损耗，得到低损耗的软磁复合材料；致密的陶瓷包覆层与填充于磁粉空隙处的包覆材料增加了软磁复合材料的防腐蚀效果；树脂与陶瓷包覆层的共同作用增强了磁心的机械强度。
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公开(公告)号：CN113281572B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110548840.1
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种材料微波复介电常数和复磁导率测试方法及系统，属于微波、毫米波测试领域，方法包括：获取样品材料在第一测试位置处的第一输入回波损耗、以及在第二测试位置处的第二输入回波损耗；根据样品传输系数和反射系数与第一输入回波损耗、第二输入回波损耗之间的函数关系计算样品传输系数和反射系数，该函数关系基于传输线理论和边界条件建立；根据复介电常数和复磁导率与样品传输系数、反射系数之间的函数关系计算复介电常数和复磁导率。仅基于不同位置处的输入回波损耗S11参数计算复介电常数和复磁导率，测量波束既可垂直入射也可大角度斜入射，还能通过控制测试位置避免现有测试方法中存在厚度谐振的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113589205A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110854339.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。
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公开(公告)号：CN108398736B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810194309.7
申请日：2018-03-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁波开关技术领域，公开了一种介质阵列开关，包括基座、设置在基座上由M*N根介质柱构成的介质阵列以及设置在介质阵列两侧的加热部件；介质阵列的介质柱之间填充有熔点低且熔化后流动性强的物质；工作时，入射波从平行于基座的方向射入，对填充物进行加热；当加热温度达到填充物熔点时填充物熔化，介质柱间隙内填充物为环境气体，使得介质柱柱体部分的介电常数发生变化，从而引起介质阵列开关对特定波段电磁波的透射率发生变化，以实现电磁波通过或被阻断的开关功能；本介质阵列开关能够阻绝外界电磁波通过，可以不受外部电磁干扰的影响，抗干扰特性好；适用于通信波段、红外波段，应用波长范围极宽；开关性能明显，且稳定性高。
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公开(公告)号：CN106052171A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610454442.2
申请日：2016-06-21
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/40 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B2307/306 , B32B2307/554 , B32B2307/714 , B32B2307/7246 , F24S70/20
Abstract: 本发明公开了一种选择性吸收薄膜，包括自底向上层叠的基底、红外反射层、相位匹配层、第一吸收层、第一减反射层、第二吸收层和第二减反射层；其红外反射膜层采用金属铝薄膜层；第一吸收层和第二吸收层均采用金属钛薄膜层；第一减反射层、相位匹配层和第二减反射层均采用氮化硅薄膜层；本发明公开的这种选择性吸收薄膜对可见光和近红外的吸收率高达到97％，对中远红外的反射率高达96％，对于太阳光具有良好的选择吸收特性，具备耐磨损、耐腐蚀特性，生产成本低，制备工艺简便的优点，且解决了现有选择性吸收薄膜在非真空的高温环境下不能长期使用的问题。
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公开(公告)号：CN114835912A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210548175.0
申请日：2022-05-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C08G83/00
Abstract: 本发明公开了一种铁基金属有机骨架材料制备方法，属于铁基金属有机骨架材料技术领域。方法包括：将铁盐、铁盐配体溶解在有机溶剂与水的混合溶剂中，搅拌均匀后制备得到前体溶液；在前体溶液中加入一定量的聚乙烯吡络烷酮(PVP)，超声搅拌一定时间后将溶液转移到反应釜中，在115～155℃下反应一定时间后处理得到铁基金属有机骨架材料。本发明通过调控有机溶剂与水的混合溶剂中水的体积百分比和PVP的添加量实现铁基金属有机骨架尺寸的高度可控，制得的晶体形貌均一，能够将尺寸控制在0.35μm～20μm的范围内，操作简单易行。
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公开(公告)号：CN113281572A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110548840.1
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种材料微波复介电常数和复磁导率测试方法及系统，属于微波、毫米波测试领域，方法包括：获取样品材料在第一测试位置处的第一输入回波损耗、以及在第二测试位置处的第二输入回波损耗；根据样品传输系数和反射系数与第一输入回波损耗、第二输入回波损耗之间的函数关系计算样品传输系数和反射系数，该函数关系基于传输线理论和边界条件建立；根据复介电常数和复磁导率与样品传输系数、反射系数之间的函数关系计算复介电常数和复磁导率。仅基于不同位置处的输入回波损耗S11参数计算复介电常数和复磁导率，测量波束既可垂直入射也可大角度斜入射，还能通过控制测试位置避免现有测试方法中存在厚度谐振的问题。
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