一种量子随机数发生器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109828745B

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN201910136429.6

    申请日:2019-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种量子随机数发生器。其中,光分束部件有n个输出端口,光合束部件有n个输入端口,光分束部件的输出端口1经光开关部件1与光合束部件的输入端口1连接;光分束部件的输出端口2经光延时部件1、光开关部件2与光合束部件的输入端口2连接;光分束部件的输出端口3经光延时部件2、光开关部件3与光合束部件的输入端口3连接;以此类推,光合束部件的任意两束输入光的延时差大于光源的相干时间;光合束部件的光信号输出端与光探测部件的光信号输入端连接;其中,n≥3。通过控制光开关部件的工作时序可分时地让具有不同延时差的光场进行干涉,可以提高最大采样速率,并保证提取的随机数具有最大可能的熵值。

    一种直调多段分布反馈半导体激光器

    公开(公告)号:CN116169559A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310245945.9

    申请日:2023-03-15

    Inventor: 孙军强 徐炜 洪伟

    Abstract: 本发明公开了一种直调多段分布反馈半导体激光器,该半导体激光器包括高反膜、有源相移区、分布反馈激射区、有源光栅反射区和抗反膜,且有源相移区、分布反馈激射区和有源光栅反射区具有相同的外延结构与波导结构参数。采用上述技术方案,在高反膜和分布反馈激射区之间设置有源相移区,分布反馈激射区和有源光栅反射区具有相同的外延结构与波导结构参数,可以缓冲由于高反膜端面相位不确定性导致的载流子波动,使得激光器具有更加一致的输出,避免解离时产生光栅残余相位,以此提高激光器良品率;使用相同外延结构与波导参数,靠注入不同电流来制造光栅中心波长失谐,避免了复杂的外延工艺、减小了制作难度,降低成本。

    一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导

    公开(公告)号:CN103278884A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310090333.3

    申请日:2013-03-20

    Inventor: 李洵 洪伟

    Abstract: 本发明是一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导,它由自上而下排列的金属层(1)、绝缘材料层(2)、掺杂半导体层(3)和衬底(4)构成,所述衬底通过引线接地,金属层通过引线接外电压;在适当电压下,从掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面到掺杂半导体层(3)内部出现复介电函数实部εr从负到正的变化,εr为负的区域具有类似金属的特性,掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面上,以及正、负εr的交界面上均可支持SPP模式,后者与金属层(1)与绝缘材料层(2)界面支持的SPP模式耦合形成混合SPP模式。本发明利用半导体的可控性来实现简便、高效的SPP波调控和解决光场限制与损耗之间的矛盾。

    一种量子随机数发生器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109828745A

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201910136429.6

    申请日:2019-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种量子随机数发生器。其中,光分束部件有n个输出端口,光合束部件有n个输入端口,光分束部件的输出端口1经光开关部件1与光合束部件的输入端口1连接;光分束部件的输出端口2经光延时部件1、光开关部件2与光合束部件的输入端口2连接;光分束部件的输出端口3经光延时部件2、光开关部件3与光合束部件的输入端口3连接;以此类推,光合束部件的任意两束输入光的延时差大于光源的相干时间;光合束部件的光信号输出端与光探测部件的光信号输入端连接;其中,n≥3。通过控制光开关部件的工作时序可分时地让具有不同延时差的光场进行干涉,可以提高最大采样速率,并保证提取的随机数具有最大可能的熵值。

    一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导

    公开(公告)号:CN103278884B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201310090333.3

    申请日:2013-03-20

    Inventor: 李洵 洪伟

    Abstract: 本发明是一种具有MIS电容结构的表面等离子体激元波导,它由自上而下排列的金属层(1)、绝缘材料层(2)、掺杂半导体层(3)和衬底(4)构成,所述衬底通过引线接地,金属层通过引线接外电压;在适当电压下,从掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面到掺杂半导体层(3)内部出现复介电函数实部εr从负到正的变化,εr为负的区域具有类似金属的特性,掺杂半导体层(3)与绝缘材料层(2)的界面上,以及正、负εr的交界面上均可支持SPP模式,后者与金属层(1)与绝缘材料层(2)界面支持的SPP模式耦合形成混合SPP模式。本发明利用半导体的可控性来实现简便、高效的SPP波调控和解决光场限制与损耗之间的矛盾。

    一种量子随机数发生器
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210270868U

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201920236698.5

    申请日:2019-02-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种量子随机数发生器。其中,光分束部件有n个输出端口,光合束部件有n个输入端口,光分束部件的输出端口1经光开关部件1与光合束部件的输入端口1连接;光分束部件的输出端口2经光延时部件1、光开关部件2与光合束部件的输入端口2连接;光分束部件的输出端口3经光延时部件2、光开关部件3与光合束部件的输入端口3连接;以此类推,光合束部件的任意两束输入光的延时差大于光源的相干时间;光合束部件的光信号输出端与光探测部件的光信号输入端连接;其中,n≥3。通过控制光开关部件的工作时序可分时地让具有不同延时差的光场进行干涉,可以提高最大采样速率,并保证提取的随机数具有最大可能的熵值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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