公开(公告)号：CN108089350A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711152828.9

申请日：2017-11-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  卢轶韬 ,  童浩 ,  汪毅

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  G02B1/00

CPC classification number: G02B1/005 ,  G02F1/0063 ,  G02F1/0126

Abstract: 本发明公开了一种基于硫系相变材料的全光开关及其制备方法，属于光通信领域，全光开关包括依次堆叠的覆盖层薄膜、硫系相变材料薄膜、隔离层薄膜、硅光子晶体和衬底。硅光子晶体包括纳米多孔结构，使得硅光子晶体具有法诺共振效应。全光开关在使用时，通过激光控制硫系相变材料薄膜的状态，调制硅光子晶体的共振状态，实现信号光透过率的调制，调制范围为通信波段1500nm至1600nm，实现光开关。本发明全光开关具有高对比度、高速率、低损耗的特点，其结构简单可降低生产成本，适应于CMOS集成易于匹配现代半导体工艺生产线，适用于工业生产和产品化。