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公开(公告)号：CN117712152A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311817584.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及半导体场效应晶体管技术领域，公开了基于凹槽沟道结构的P型单层WSe2场效应晶体管制备，包括如下步骤：通过化学气相沉积技术在衬底上生长多层WSe2；通过电子束曝光、隔离区反应离子刻蚀、源漏电极沉积工艺，制备得到多层P型WSe2背栅场效应晶体管；通过重复反应离子刻蚀工艺，将沟道区域的WSe2材料逐层减薄到单层。本发明采用的凹槽沟道结构制备工艺具有自对准刻蚀的优点，同时凹槽沟道结构将多层WSe2和单层WSe2集合在同一晶体管中，在维持器件高开关比的情况下显著降低了器件的接触电阻，用以解决现有WSe2晶体管沟道和金属接触之间难以形成良好欧姆接触的技术问题。
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公开(公告)号：CN110172736B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910491868.9
申请日：2019-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，公开了一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：分别准备清洁且干燥的钼箔和钠钙玻璃，并分别称量硫粉和三氧化钼作为前驱体；S2：在CVD沉积管内放置装有钼箔、钠钙玻璃及三氧化钼的第一载物舟以及装有硫粉的第二载物舟；S3：对所述CVD沉积管进行双温区温度控制的化学气相沉积，从而在钠钙玻璃上实现三层硫化钼单晶的沉积。本发明通过对制备方法中关键CVD工艺所采用的衬底材料、双温区温度设置等进行改进，与现有技术相比，提供了一种制备大尺寸三层二硫化钼单晶的新方法，得到的三层硫化钼单晶其内部最长长度可达90μm，并且制备的三层二硫化钼单晶质量好。
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公开(公告)号：CN111304738A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010181843.1
申请日：2020-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , C30B33/00 , C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于二维材料领域，公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法，该方法是利用预先设定的温度条件，在小反应室处于预先设定的温度条件下时，卤化物能够熔融与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，载气气流则能够携带硒源材料产生的气态硒元素与中间产物产生的气态钨元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层二硒化钨单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进，使用卤化物与钨源材料混合参与反应，利用卤化物熔融盐与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，能够有效控制化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶，可控性好且能够制得较大尺寸的多层二硒化钨单晶。
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公开(公告)号：CN110212031A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910437440.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，包括：对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；对由碳化硅外延片和高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；在退火处理之后的高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。本发明引入高介电常数材料作为介质层，高介电常数材料通过沉积的方式层叠在碳化硅外延片上，得到的介质层的厚度比较均匀，同时避免了氧化碳化硅时碳残余导致的碳化硅和介质层界面处的界面态较大的问题。另外，通过在高介电常数介质层和碳化硅外延片之间增加一层氧化硅，进一步有效提高了碳化硅和介质层之间的界面质量。
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公开(公告)号：CN115513294A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211138857.0
申请日：2022-09-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/227 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：p型掺杂硅衬底、设置在所述p型掺杂硅衬底上的二氧化硅栅介质、设置在所述二氧化硅栅介质上的3R相双层二硒化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硒化钨沟道材料表面的源漏电极。同时还提出了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管制备方法。本发明制备的基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管能够提升场效应晶体管的电学性能，有利于未来过渡金属硫属族化合物的大规模器件集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111446302B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010054657.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统，属于半导体器件技术领域，所述方法包括：在刚性衬底上生长二维过渡金属硫化物材料；控制二维过渡金属硫化物材料的生长过程的温度，使生长过程结束后，产生包含金属相和半导体相的二维材料；将二维材料转移至柔性衬底上；分别在所述二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，得到横向的肖特基整流二极管。本发明通过使同种二维过渡金属硫化物材料之间形成半导体相与金属相的横向异质结，并分别在二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，使得生成的横向肖特基整流二极管具有非常小的寄生电容，截止频率高，能够在高频下工作。
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公开(公告)号：CN111304738B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010181843.1
申请日：2020-03-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , C30B33/00 , C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明属于二维材料领域，公开了一种熔融盐辅助化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶的方法，该方法是利用预先设定的温度条件，在小反应室处于预先设定的温度条件下时，卤化物能够熔融与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，载气气流则能够携带硒源材料产生的气态硒元素与中间产物产生的气态钨元素在衬底上基于化学气相沉积的原理生长多层二硒化钨单晶。本发明通过对制备方法关键的反应参与物和反应腔室进行改进，使用卤化物与钨源材料混合参与反应，利用卤化物熔融盐与钨源材料反应生成熔点低于钨源材料的中间产物，能够有效控制化学气相沉积生长多层二硒化钨单晶，可控性好且能够制得较大尺寸的多层二硒化钨单晶。
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公开(公告)号：CN110172736A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910491868.9
申请日：2019-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，公开了一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：分别准备清洁且干燥的钼箔和钠钙玻璃，并分别称量硫粉和三氧化钼作为前驱体；S2：在CVD沉积管内放置装有钼箔、钠钙玻璃及三氧化钼的第一载物舟以及装有硫粉的第二载物舟；S3：对所述CVD沉积管进行双温区温度控制的化学气相沉积，从而在钠钙玻璃上实现三层硫化钼单晶的沉积。本发明通过对制备方法中关键CVD工艺所采用的衬底材料、双温区温度设置等进行改进，与现有技术相比，提供了一种制备大尺寸三层二硫化钼单晶的新方法，得到的三层硫化钼单晶其内部最长长度可达90μm，并且制备的三层二硫化钼单晶质量好。
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公开(公告)号：CN117438376A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311756443.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种基于二维半导体材料的互补性场效应晶体管的制备方法：清洗衬底；在所述衬底上制备标记层；制备第一沟道材料；在第一沟道材料表面制备第一源漏电极；对第一沟道材料进行氧掺杂；在所述第一源漏电极和第一沟道材料表面上沉积第一栅介质，并在第一栅介质上制备栅电极，从而制备得到底部场效应晶体管；制备背栅，在所述底部场效应晶体管上沉积第二栅介质；在第二栅介质表面形成第二沟道材料；在第二沟道材料上制备第二源漏电极，得到顶部场效应晶体管后便完成CFET的制备。本发明制备的CFET中第一、第二沟道材料为同一种二维材料，相较基于不同沟道材料的CFET，本发明的CFET具有更高的成本效益和更低的制备难度。
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公开(公告)号：CN115621128A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211339008.1
申请日：2022-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/34 , H01L23/373 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管，包括：S1、在衬底上生成预设厚度的氧化铍薄膜作为栅介质；S2、在氧化铍薄膜上转移沟道材料，依次在沟道材料上进行电子束曝光、隔离区刻蚀和金属沉积制备电极，得到基于氧化铍衬底的二维半导体场效应晶体管。解决了传统散热办法无法满足二维半导体器件的散热需求，自热效应增加使得器件性能降低，以及需要输入更多功率从而造成能源浪费的技术问题，实现了提高热传输能力，减少热量累积，降低器件工作时的温度，提高器件稳定性的有益效果。
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