公开(公告)号：CN115621128A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211339008.1

申请日：2022-10-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李学飞 ,  郭琪 ,  史新航

IPC: H01L21/34 ,  H01L23/373 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种高热导率二维半导体场效应晶体管的制作方法及晶体管，包括：S1、在衬底上生成预设厚度的氧化铍薄膜作为栅介质；S2、在氧化铍薄膜上转移沟道材料，依次在沟道材料上进行电子束曝光、隔离区刻蚀和金属沉积制备电极，得到基于氧化铍衬底的二维半导体场效应晶体管。解决了传统散热办法无法满足二维半导体器件的散热需求，自热效应增加使得器件性能降低，以及需要输入更多功率从而造成能源浪费的技术问题，实现了提高热传输能力，减少热量累积，降低器件工作时的温度，提高器件稳定性的有益效果。

公开(公告)号：CN110361360A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910647145.3

申请日：2019-07-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 司马朝坦 ,  袁康 ,  蔡一诺 ,  王雪放 ,  汪超林 ,  史新航 ,  冯仲帅 ,  张瑞罡 ,  唐浩程 ,  鲁平 ,  刘德明

IPC: G01N21/39

Abstract: 本发明公开了一种用于气体检测的可调谐激光器半波扫描控制方法及系统，作用于待测气体的扫描信号采用三角波，当扫描信号处于顶点时，可调谐激光器的输出波长位于待测气体的吸收中心波长处，将调制信号加载到扫描信号上得到叠加信号，作用于可调谐激光器产生激光，入射到气室，将气室出射的光信号转化为电信号，再将电信号经过数据处理得到携带有气体浓度信息的二次谐波，通过提取所述二次谐波的强度变化，实现气体浓度的检测。本发明提供的半波扫描与传统扫描相比，在同周期内仅测到一组二次谐波，不会出现两组二次谐波，避免了吸收峰交叠的现象，便于观察气体谱线线型变化以及对谱线半高宽的测量，从而实现对气体的温度和压强变化检测。

公开(公告)号：CN115513294A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211138857.0

申请日：2022-09-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李学飞 ,  郭琪 ,  史新航

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/227 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：p型掺杂硅衬底、设置在所述p型掺杂硅衬底上的二氧化硅栅介质、设置在所述二氧化硅栅介质上的3R相双层二硒化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硒化钨沟道材料表面的源漏电极。同时还提出了一种基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管制备方法。本发明制备的基于3R相的p型二硒化钨场效应晶体管能够提升场效应晶体管的电学性能，有利于未来过渡金属硫属族化合物的大规模器件集成。

公开(公告)号：CN110361360B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201910647145.3

申请日：2019-07-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 司马朝坦 ,  袁康 ,  蔡一诺 ,  王雪放 ,  汪超林 ,  史新航 ,  冯仲帅 ,  张瑞罡 ,  唐浩程 ,  鲁平 ,  刘德明

IPC: G01N21/39

Abstract: 本发明公开了一种用于气体检测的可调谐激光器半波扫描控制方法及系统，作用于待测气体的扫描信号采用三角波，当扫描信号处于顶点时，可调谐激光器的输出波长位于待测气体的吸收中心波长处，将调制信号加载到扫描信号上得到叠加信号，作用于可调谐激光器产生激光，入射到气室，将气室出射的光信号转化为电信号，再将电信号经过数据处理得到携带有气体浓度信息的二次谐波，通过提取所述二次谐波的强度变化，实现气体浓度的检测。本发明提供的半波扫描与传统扫描相比，在同周期内仅测到一组二次谐波，不会出现两组二次谐波，避免了吸收峰交叠的现象，便于观察气体谱线线型变化以及对谱线半高宽的测量，从而实现对气体的温度和压强变化检测。

公开(公告)号：CN115483290A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211138399.0

申请日：2022-09-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李学飞 ,  郭琪 ,  史新航

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/227 ,  H01L21/336 ,  C23C16/30 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种基于3R相的二硫化钨场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件包括：硅衬底、设置在所述硅衬底上的栅介质、设置在所述栅介质上的3R相双层二硫化钨沟道材料及设置在所述3R相双层二硫化钨沟道材料表面的源漏电极。同时还提出了一种基于3R相的二硫化钨场效应晶体管制备方法。本发明制备的基于3R相的二硫化钨场效应晶体管能够提升场效应晶体管的电学性能，有利于未来过渡金属硫属族化合物的大规模器件集成。