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公开(公告)号：CN101799440B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010133486.8
申请日：2010-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。
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公开(公告)号：CN1422969A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02147869.4
申请日：2002-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种Co－Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法,其步骤为:①预机械合金化处理:将原料粉末按照原子比Co∶Sb＝1∶3配比,再将原料粉末与磨球混和后进行高能球磨处理,球料重量比为10∶1～20∶1,球磨转速为180－350转/分,在保护气氛下进行球磨处理8－11小时；②等温退火处理:将经预合金化处理后的材料在真空或惰性气氛的保护下进行等温退火处理,处理温度为923～1023K,处理时间为1～3小时。本发明采用预合金化结合固相处理的两段加工方法,经机械合金化处理后的材料经短时间退火处理即可得单相CoSb3方钴矿化合物。包括机械合金化处理在内的整个材料制备过程时间至少缩短6小时；同时由于高温等温退火时间缩短10小时以上,整个制备过程能耗大大减少,材料制备成本可大幅度降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102520249A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110423142.5
申请日：2011-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种绝缘衬底上的半导体薄膜厚度方向电导率的测量方法，首先在绝缘衬底上依次沉积第一条形导电金属薄膜、第一绝缘层、待测半导体薄膜、第二绝缘层及第二条形导电金属薄膜层；第一层绝缘层与第二层绝缘层在相同位置留有大小位置完全相同的导电小孔；其次，使上下两层金属薄膜与中间夹层半导体薄膜通过上下两导电小孔接触导通，形成串联的电流通路；然后，对该电流通路通入一定电流，并采集半导体薄膜两表面间对应于两开孔处的电压值；最后，根据所测得的电压值及对其所通电流值，即可求得半导体薄膜厚度方向的电导率。本发明原理简单，设备均为常见简单测试仪表，搭建和测试成本都成本低且简单易行，测试精度较高，数据处理极为简便。
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公开(公告)号：CN100334442C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510018806.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品夹可移动式置于热端夹柱内，冷、热端热电偶分别位于冷、热端样品夹内、并接近样品两端的位置，并通过数据采集模块输入到计算机；导电夹通过瓷台固定在底座上，并采用高温导线将样品的电压通过数据采集模块输入到计算机里；高温导线分别连接在冷、热端样品夹上，将塞贝克电势通过数据采集模块输入到计算机。该装置可以使同时进行测定塞贝克系数和电阻率，并且测试过程简单，装置和测试的成本较低。
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公开(公告)号：CN101799440A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010133486.8
申请日：2010-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。
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公开(公告)号：CN1696681A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510018806.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品夹可移动式置于热端夹柱内，冷、热端热电偶分别位于冷、热端样品夹内、并接近样品两端的位置，并通过数据采集模块输入到计算机；导电夹通过瓷台固定在底座上，并采用高温导线将样品的电压通过数据采集模块输入到计算机里；高温导线分别连接在冷、热端样品夹上，将塞贝克电势通过数据采集模块输入到计算机。该装置可以使同时进行测定塞贝克系数和电阻率，并且测试过程简单，装置和测试的成本较低。
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公开(公告)号：CN1162561C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN02147869.4
申请日：2002-12-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种Co-Sb系方钴矿化合物热电材料的制备方法，其步骤为：①预机械合金化处理：将原料粉末按照原子比Co∶Sb＝1∶3配比，再将原料粉末与磨球混和后进行高能球磨处理，球料重量比为10∶1～20∶1，球磨转速为180-350转/分，在保护气氛下进行球磨处理8-11小时；②等温退火处理：将经预合金化处理后的材料在真空或惰性气氛的保护下进行等温退火处理，处理温度为923～1023K，处理时间为1～3小时。本发明采用预合金化结合固相处理的两段加工方法，经机械合金化处理后的材料经短时间退火处理即可得单相CoSb3方钴矿化合物。包括机械合金化处理在内的整个材料制备过程时间至少缩短6小时；同时由于高温等温退火时间缩短10小时以上，整个制备过程能耗大大减少，材料制备成本可大幅度降低。
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