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公开(公告)号：CN110926622B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911190851.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明属于晶体探测器领域，并具体公开了一种基于片层晶体阵列的高能光子检测装置，包括片层晶体阵列结构和光电传感器阵列层，片层晶体阵列结构由数个片层晶体阵列层叠而成，相邻的片层晶体阵列之间设置有光反射层，且光反射层上开设有透光窗口；光电传感器阵列层与所述片层晶体阵列结构耦合在一起；检测时，高能光子在片层晶体阵列中发生衰减反应，产生可见光子群，该可见光子群由光反射层反射或通过透光窗口进入相邻片层晶体阵列，最终由光电传感器阵列层接收，从而获得光分布情况，进而得到高能光子的反应位置和反应深度，完成检测。本发明片层晶体阵列之间解码过程互不影响，得到与反应深度相关的光分布信息，解码精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN110926622A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911190851.6
申请日：2019-11-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明属于晶体探测器领域，并具体公开了一种基于片层晶体阵列的高能光子检测装置，包括片层晶体阵列结构和光电传感器阵列层，片层晶体阵列结构由数个片层晶体阵列层叠而成，相邻的片层晶体阵列之间设置有光反射层，且光反射层上开设有透光窗口；光电传感器阵列层与所述片层晶体阵列结构耦合在一起；检测时，高能光子在片层晶体阵列中发生衰减反应，产生可见光子群，该可见光子群由光反射层反射或通过透光窗口进入相邻片层晶体阵列，最终由光电传感器阵列层接收，从而获得光分布情况，进而得到高能光子的反应位置和反应深度，完成检测。本发明片层晶体阵列之间解码过程互不影响，得到与反应深度相关的光分布信息，解码精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN110568470A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910807064.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体探测器领域，并公开了一种优化多面体探测器中离散晶体布局的方法。该方法包括下列步骤：(a)对于多面体探测器，确定其中最小结构单元的形状和外接圆的半径取值范围；(b)绘制多幅网格图，将最小结构单元放置在每幅网格图中，计算每幅网格图中最小结构单元中包括最多填充单元的数量，以此计算最小结构单元的填充率；(c)所有网格图中填充率的最大值对应的网格图中网格的尺寸大小作为最小结构单元的外接圆尺寸，以此获得最小结构单元的尺寸和该最小结构单元的填充率，实现多面体探测器中离散晶体布局的优化。通过本发明，实现多边形探测器中离散晶体的最优布局，提高探测器的有效覆盖面积。
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公开(公告)号：CN110568470B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910807064.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体探测器领域，并公开了一种优化多面体探测器中离散晶体布局的方法。该方法包括下列步骤：(a)对于多面体探测器，确定其中最小结构单元的形状和外接圆的半径取值范围；(b)绘制多幅网格图，将最小结构单元放置在每幅网格图中，计算每幅网格图中最小结构单元中包括最多填充单元的数量，以此计算最小结构单元的填充率；(c)所有网格图中填充率的最大值对应的网格图中网格的尺寸大小作为最小结构单元的外接圆尺寸，以此获得最小结构单元的尺寸和该最小结构单元的填充率，实现多面体探测器中离散晶体布局的优化。通过本发明，实现多边形探测器中离散晶体的最优布局，提高探测器的有效覆盖面积。
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