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公开(公告)号:CN113191047B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202110445654.5
申请日:2021-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于热力学相关技术领域,并公开了一种实现超构材料均热基板的调控方法。该调控方法包括下列步骤:S1设定均质基板的热导率系数,以及该基板上的幻象热源的位置和大小;S2分别将均质基板和待求解均热基板中非热源的位置划分为多个区域,并一一对应;构建均质基板和待求解均热基板的坐标转换关系,以此获得二者之间的转换矩阵;S3构建转换矩阵与待求解均热基板上各个区域的热导率系数关系式,计算待求解均热基板上各个区域的热导率系数,根据该热导率系数选取待求解均热基板上各个区域相应的材料,以此实现待求解均热基板热传导的调控。通过本发明,改变基板的温度分布,实现基板顶部温度均匀的效果,达到均热板的功能。
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公开(公告)号:CN111403575B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202010159288.2
申请日:2020-03-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本发明属于LED相关技术领域,其公开了一种适用于单芯片大功率白光LED的光子晶体薄膜及其应用,该光子晶体薄膜贴附在大功率白光LED的单芯片上,用于将该大功率白光LED中芯片发出的光转化为白光,该光子晶体薄膜包括骨架和填充胶体,其中,所述骨架作为支撑以及散热骨架,其中设置有多个微孔,所述填充胶体填充在所述微孔中,所述填充胶体中包括发光材料和导热颗粒,所述发光材料用于将单芯片芯片发出的光转化为白光,所述导热颗粒用于散热;所述骨架采用无机透明材料。通过本发明,满足单芯片大功率白光LED对光子晶体薄膜尺寸的要求,提高LED的光效率。
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公开(公告)号:CN112458563A
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:CN202011336673.6
申请日:2020-11-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于辐射制冷材料领域,并具体公开了一种高导热的辐射制冷纤维及其制备方法和织物,辐射制冷纤维包括聚合物基底和导热微纳米颗粒,其中,所述导热微纳米颗粒均匀分布在所述聚合物基底中,且该导热微纳米颗粒的粒径为0.1μm~5μm;该高导热的辐射制冷纤维适合制备用于人体穿戴的辐射制冷织物。本发明在聚合物中掺杂微纳米颗粒,可有效提高复合纤维的热导率,且微纳米尺度的高导热颗粒在太阳能波段具有较好的反射特性,同时也增强了纤维的辐射制冷性能;该辐射制冷纤维不仅具有优异的导热性能,辐射制冷特性以及力学性能,且制备方法简便,易于工业化生产。
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公开(公告)号:CN113191047A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110445654.5
申请日:2021-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明属于热力学相关技术领域,并公开了一种实现超构材料均热基板的调控方法。该调控方法包括下列步骤:S1设定均质基板的热导率系数,以及该基板上的幻象热源的位置和大小;S2分别将均质基板和待求解均热基板中非热源的位置划分为多个区域,并一一对应;构建均质基板和待求解均热基板的坐标转换关系,以此获得二者之间的转换矩阵;S3构建转换矩阵与待求解均热基板上各个区域的热导率系数关系式,计算待求解均热基板上各个区域的热导率系数,根据该热导率系数选取待求解均热基板上各个区域相应的材料,以此实现待求解均热基板热传导的调控。通过本发明,改变基板的温度分布,实现基板顶部温度均匀的效果,达到均热板的功能。
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公开(公告)号:CN111403575A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN202010159288.2
申请日:2020-03-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/64 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本发明属于LED相关技术领域,其公开了一种适用于单芯片大功率白光LED的光子晶体薄膜及其应用,该光子晶体薄膜贴附在大功率白光LED的单芯片上,用于将该大功率白光LED中芯片发出的光转化为白光,该光子晶体薄膜包括骨架和填充胶体,其中,所述骨架作为支撑以及散热骨架,其中设置有多个微孔,所述填充胶体填充在所述微孔中,所述填充胶体中包括发光材料和导热颗粒,所述发光材料用于将单芯片芯片发出的光转化为白光,所述导热颗粒用于散热;所述骨架采用无机透明材料。通过本发明,满足单芯片大功率白光LED对光子晶体薄膜尺寸的要求,提高LED的光效率。
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