一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用

    公开(公告)号:CN118795010A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410799822.4

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种一维异质纳米管场效应晶体管的制备方法及其产品和应用,属于半导体材料技术领域,包括以下步骤:将异质纳米管旋涂于衬底上;在所述异质纳米管两端沉积电极;在沉积电极的异质纳米管上继续沉积金属或金属氧化物颗粒,形成一维异质纳米管场效应晶体管。本发明利用异质纳米管弹道运输特性、限域效应带来的优异的电学性能实现局部场效应的放大。同时,通过调控敏感栅极的成分、形貌、尺寸实现晶体管对气体、病毒、细菌等目标物的高选择性和高灵敏度检测。

    一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118759010A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410799856.3

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于原子级厚度异质结的栅敏晶体管气体传感器及其制备方法,属于微纳气体传感器领域,包括异质结晶体管和敏感栅极;所述异质结晶体管自下到上包括基底层、沟道层和介电层;所述敏感栅极位于所述介电层上部,所述敏感栅极为电浮栅;所述沟道层和金属电极接触连接,所述金属电极与信号采集装置连接。本发明采用敏感栅极作为气体分子特异性吸附材料,沟道层负责电信号传导,二者在空间上相分离,降低了对传感材料的要求。

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