公开(公告)号：CN101578959B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN200910087604.3

申请日：2009-06-24

Applicant: 华中农业大学

Inventor： 王彩云 ,  孔令芳 ,  毛静 ,  李振芳 ,  李杰 ,  曹丽园 ,  李雅菲 ,  邢梅

IPC: A01H4/00 ,  A01C1/02

Abstract: 本发明属于植物组织培养技术领域，具体涉及一种离体培养除虫菊再生植株的方法及专用培养基。本发明的步骤如下：A、取除虫菊的种子，经灭菌和无菌离体培养得到无菌苗，选4个不同单株的无菌苗在MS基本培养基中继代培养；B、无菌苗继代培养了30d后，切取顶端幼嫩的叶片作为外植体，将其中脉划两刀后近轴面朝上接种于MS基本培养基+2.0mg/L6-BA+0.2mg/L IBA和2.0mg/L AgNO3的专用培养基上，先暗培养再光照培养，大约30天左右获得再生芽；C、将再生芽转移至MS基本培养基中作继代培养得到完整植株。本发明取材不受季节限制，方法简便，再生周期短，除虫菊的植株再生频率为92％-96％。

公开(公告)号：CN101578959A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910087604.3

申请日：2009-06-24

Applicant: 华中农业大学

Inventor： 王彩云 ,  孔令芳 ,  毛静 ,  李振芳 ,  李杰 ,  曹丽园 ,  李雅菲 ,  邢梅

IPC: A01H4/00 ,  A01C1/02

Abstract: 本发明属于植物组织培养技术领域，具体涉及一种离体培养除虫菊再生植株的方法及专用培养基。本发明的步骤如下：A.取除虫菊的种子，经灭菌和无菌离体培养得到无菌苗，选4个不同单株的无菌苗在MS基本培养基中继代培养；B.无菌苗继代培养了30d后，切取顶端幼嫩的叶片作为外植体，将其中脉划两刀后近轴面朝上接种于MS基本培养基+2.0mg/L6－BA+0.2mg/L IBA和2.0mg/L AgNO3的专用培养基上，先暗培养再光照培养，大约30天左右获得再生芽；C.将再生芽转移至MS基本培养基中作继代培养得到完整植株。本发明取材不受季节限制，方法简便，再生周期短，除虫菊的植株再生频率为92％－96％。