公开(公告)号：CN110804142A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911159712.7

申请日：2019-11-22

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 张斌 ,  顾敏超 ,  车强 ,  樊菲 ,  陈彧

IPC: C08F292/00 ,  C08F220/32 ,  C08F4/00

Abstract: 本发明属于分子内含有酰氯基团的原子转移自由基聚合(ATRP)试剂通过共价修饰的方法对BP纳米片进行接枝，获得一种新型的基于黑磷的ATRP试剂的方法。该方法适用于各种分子内含有酰氯的ATRP试剂并且能够有效适用于一系列ATRP聚合的单体，为黑磷纳米片的修饰提供了一个平台，同时用该方法所述的材料进行聚合物修饰的黑磷纳米片材料相比纯黑磷纳米片还具有突出的溶解性以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。本发明适用于2-溴异丁酰溴(BIBB)、2-氯丙酰氯等分子内包含酰氯的ATRP试剂。

公开(公告)号：CN110407968B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201910273272.1

申请日：2019-04-04

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 张斌 ,  顾敏超 ,  甘帆 ,  樊菲 ,  陈彧

IPC: C08F126/12 ,  C08F120/14 ,  C08F2/38

Abstract: 本发明属于分子内含有羧基的可逆加成‑断裂链转移(RAFT)试剂通过共价修饰的方法对BP纳米片进行接枝，获得一种新型的基于黑磷的RAFT试剂的方法。该方法适用于各种分子内含有羧基的RAFT试剂并且能够有效适用于一系列RAFT聚合的单体，为黑磷纳米片的修饰提供了一个平台，同时用该方法所述的材料进行聚合物修饰的黑磷纳米片材料相比纯黑磷纳米片还具有突出的溶解性以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。本发明适用于s‑1‑十二烷基‑s’‑(a,a’‑二甲基‑a”‑乙酸基)三硫代碳酸脂(DDAT)、4‑氰基‑4‑[(十二烷基硫烷基硫羰基)硫烷基]戊酸、4‑氰基‑4‑(苯基硫代甲酰硫基)戊酸、S‑(硫代苯甲酰基)硫乙酸等分子内包含羧基的RAFT试剂。

公开(公告)号：CN110407968A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910273272.1

申请日：2019-04-04

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 张斌 ,  顾敏超 ,  甘帆 ,  樊菲 ,  陈彧

IPC: C08F126/12 ,  C08F120/14 ,  C08F2/38

Abstract: 本发明属于分子内含有羧基的可逆加成-断裂链转移(RAFT)试剂通过共价修饰的方法对BP纳米片进行接枝，获得一种新型的基于黑磷的RAFT试剂的方法。该方法适用于各种分子内含有羧基的RAFT试剂并且能够有效适用于一系列RAFT聚合的单体，为黑磷纳米片的修饰提供了一个平台，同时用该方法所述的材料进行聚合物修饰的黑磷纳米片材料相比纯黑磷纳米片还具有突出的溶解性以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。本发明适用于s-1-十二烷基-s’-(a,a’-二甲基-a”-乙酸基)三硫代碳酸脂(DDAT)、4-氰基-4-[(十二烷基硫烷基硫羰基)硫烷基]戊酸、4-氰基-4-(苯基硫代甲酰硫基)戊酸、S-(硫代苯甲酰基)硫乙酸等分子内包含羧基的RAFT试剂。