一种去除钙钛矿材料表面缺陷的化学方法

    公开(公告)号:CN116583118A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202210962538.5

    申请日:2022-08-11

    Abstract: 本发明涉及一种去除钙钛矿材料表面缺陷的化学方法。利用一类具有腐蚀性物质与钙钛矿发生化学反应,将其稀释后覆盖于钙钛矿薄膜表面,经过一定的反应时间后,有效去除表面的非晶相与不连续区域,从而获得平整致密的高质量钙钛矿层,大幅度提升钙钛矿电池的效率与长期稳定性。例如,使用[BMIM]PF6溶液刻蚀CsPbI2Br钙钛矿薄膜表面,组装得到的电池器件光电转换效率从14.31%提升至17.51%,放置在相对湿度为15±3%的干燥箱1140小时后,其效率仍稳定在初始效率的95%以上。

    钯氢纳米团簇负载的碳化钨析氢电催化剂制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119040938A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202410995910.1

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种钯氢纳米团簇负载的碳化钨析氢电催化剂制备方法和应用。通过提供新的贵金属基负载型材料设计思路,实现质子交换膜电解水经济高效可持续发展。本发明的技术方案概述如下:分别配置一定浓度的多巴胺水溶液和钨酸钠水溶液。用盐酸调节多巴胺水溶液pH至2左右,再加入适量的氯化钯粉末,搅拌20分钟至完全溶解;将钨酸钠水溶液逐滴滴入多巴胺水溶液中,有黄色沉淀缓慢生成。再分别用去离子水和无水乙醇离心洗涤多次,放置60℃真空烘箱中干燥12小时。随后将干燥后的粉末前驱体放入充满氩气氛围的双温区管式炉中,以2℃每分钟升温速率加热至900℃,碳化2小时得到钯氢纳米团簇负载的碳化钨材料。

    一种渗滤复合薄膜、制备方法及其光电应用

    公开(公告)号:CN113078263B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202110263158.8

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 本发明涉及一种渗滤复合薄膜、制备方法及其光电应用。是由一种无机半导体和一种绝缘体纳米颗粒组成的互穿网络结构;其中,所述的半导体材料,是金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物或金属氮化物;所述绝缘体材料,是碳酸盐。本发明利用溶液法制备低成本、无机半导体‑绝缘体组成的两相渗滤网络结构,并用作钙钛矿太阳能光电器件的空穴传输层材料。稳定的双相渗滤结构具有优异的导电性和匹配的能带,优化了空穴的提取和传输路径,从而有效的提升钙钛矿光电器件的能量转化效率及长期运作稳定性。

    一种铜酸钇双金属氧化物材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117737763A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311509831.7

    申请日:2023-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种铜酸钇双金属氧化物材料及其制备方法和应用,采用硝酸铜以及硝酸钇分别作为铜源和钇源,以一水合柠檬酸作为还原剂,通过溶胶凝胶法制备得到均相的铜酸钇材料。该方法操作简便,原料易得,制备成本低廉,反应周期短,且可重复性高。本发明的铜酸钇双金属氧化物材料可以用于高效电催化二氧化碳(CO2)生成一氧化碳(CO)和氢气(H2)为主要组分的合成气,且改变电解质的浓度以及种类可实现对合成气中一氧化碳和氢气比例的可控调节。同时稳定性测试表明本发明的铜酸钇双金属氧化物材料具有良好的电化学和结构稳定性。

    一种催化材料和反应路径自动化计算的方法

    公开(公告)号:CN117275598A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311415511.5

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种催化材料和反应路径自动化计算的方法,该方法包括如下步骤:自动化切面;表面活性位点识别;中间体及基元反应的枚举;中间体吸附构型构建;过渡态结构摆放;DFT计算文件准备;反应路径构建;微观动力学。与现有技术相比,本发明的方法采用饱和度来预衡量不同表面终端的稳定性提高了切面效率,“基因键”的引入能够自动化搭建合理的吸附模型,提高计算效率,节约计算成本,催化反应路径考虑全面,可与不同的计算软件进行链接且一体化程度高,同时相关方法具备更多应用场景,将有望切实提高催化材料和催化反应的计算效率,推动理论计算从“作坊式”向自动化/标准化水平迈进。

    一种非晶小尺寸氧化钴负载氮氧化钽的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113060771B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202110263159.2

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 本发明涉及一种非晶小尺寸氧化钴负载氮氧化钽的制备方法及应用。首先利用高温氮化反应合成氮氧化钽(TaON),后以金属有机盐乙酰丙酮钴(Co(acac)2)作为前驱体,采用光沉积的方式在氮氧化钽(TaON)表面均匀负载氧化钴(CoOx)的非晶小尺寸团簇,该负载状态是提升氮氧化钽光催化产氧性能的关键,最优的产氧性能可达6120±342μmol g‑1h‑1,420nm波长处的表观量子产率(AQY)为21.2±1.05%。这种光沉积金属有机盐的负载方式适用于钽基氮化物,其制备过程简便,环境友好,制得的材料体系还可作为光催化全分解水Z体系的产氧端材料,在环境科学和新能源领域有着非常广阔的应用前景。

    一种卤化物钙钛矿薄单晶的生长方法

    公开(公告)号:CN116427011A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310259906.4

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 本发明涉及一种卤化物钙钛矿薄单晶的生长方法。包含以下步骤:(1)将金属卤化物钙钛矿薄单晶原料溶于溶剂中,配成前驱体溶液;(2)将钙钛矿前驱体滴在疏水化的基板上,然后覆盖另一块疏水化的基板,通过调整基板间的距离来获得厚度可调的钙钛矿薄单晶;(3)加热,生长一段时间以后,冷却,分离,擦干,最终获得钙钛矿薄单晶。本发明生长方法可以实现多种基底与钙钛矿薄单晶的直接集成,同时厚度可调。

    一种渗滤复合薄膜、制备方法及其光电应用

    公开(公告)号:CN113078263A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110263158.8

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 本发明涉及一种渗滤复合薄膜、制备方法及其光电应用。是由一种无机半导体和一种绝缘体纳米颗粒组成的互穿网络结构;其中,所述的半导体材料,是金属氧化物、金属硫化物、金属磷化物或金属氮化物;所述绝缘体材料,是碳酸盐。本发明利用溶液法制备低成本、无机半导体‑绝缘体组成的两相渗滤网络结构,并用作钙钛矿太阳能光电器件的空穴传输层材料。稳定的双相渗滤结构具有优异的导电性和匹配的能带,优化了空穴的提取和传输路径,从而有效的提升钙钛矿光电器件的能量转化效率及长期运作稳定性。

    一种自发渐变掺杂钙钛矿薄膜、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN109786553A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811438837.9

    申请日:2018-11-29

    Abstract: 本发明涉及一种自发渐变掺杂钙钛矿薄膜、制备方法及其应用,所述钙钛矿材料分子式是Cs0.1FA0.9PbI3,掺杂离子分子式为SbCl3、InCl3,钙钛矿材料以八面体的晶体均匀的覆盖在基底上,而掺杂离子梯度分布在钙钛矿薄膜的上下两边,微量的掺杂离子存在薄膜中间部分。通过容忍因子计算,选用非容忍的异价金属离子,一步法形成掺杂离子梯度分布的钙钛矿薄膜。这种自发的渐变掺杂可形成剪切式能带,有利于载流子传输。通过这种方法制备的钙钛矿太阳能电池光电转换效率可达21.04%,填充因子达到0.84。本发明在空间调控载流子传输和提高器件光电转换效率方面具有重要意义。

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