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公开(公告)号：CN114213026A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111557723.8
申请日：2021-12-20
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明公开了一种由亚碲酸盐、硼酸盐和硅酸盐组合构成的，用于晶体硅太阳电池副栅电极银浆的复合体系玻璃粉。在副栅电极银浆烧结的升温过程中，亚碲酸盐最先熔化并铺展硅表面，从而阻断硅银间发生烧结反应；接着，硼酸盐熔化和蚀穿硅表面的减反射层，打开银硅电导接触窗口；最后，硅酸盐熔化，抑制玻璃熔体对硅表面的侵蚀并产生钝化作用。在烧结后的冷却过程中，被亚碲酸盐溶解和带到界面处的银析出，形成大量的银胶体颗粒。由此，本发明提供的复合体系玻璃粉具有增加银硅有效接触、减小接触电阻和钝化硅表面等作用特点，能够显著提升副栅电极银浆的应用性能。
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公开(公告)号：CN108085000A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711381132.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 华东理工大学
IPC: C09K11/77
Abstract: 本发明提出了一种铕铽共掺的含碳二亚胺结构的荧光粉及其制备方法，其化学式为：Lia(Lnb-f,Eue,Tbf)Mc(CN2)d，其中：Ln为三价Y、Gd、La中的一种或以上，M为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或以上。该荧光粉由原料在N2气氛下经一步或两步烧结而成，所得荧光粉在254~410nm的光激发下，其发射颜色随Eu和Tb浓度变化从红色到绿色可调。该荧光粉可用但不限于白光LED的制备。
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公开(公告)号：CN107195543A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710259945.9
申请日：2017-04-20
Applicant: 华东理工大学
IPC: H01L21/228 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/228 , H01L31/1804
Abstract: 本发明提出了一种适用于旋涂硼扩散制程的聚硼硅氧烷硼源。该硼源以硅烷和硼酸为原料，采用溶胶凝胶法制备，采用的硼源的n(B/Si)＝m，其中：0＜m≤0.6。采用的硅烷的化学式为(R1)xSi(OR2)y，其中：R1为‑CH3或‑CH2CH3，R3为‑CH3、‑CH2CH3或‑CH(CH3)2，x＝1或2，y＝3或2，且x+y＝4。将硅烷和硼酸的混合溶液在20‑60℃下搅拌1‑3天直至溶液由浑浊变为澄清，所得聚硼硅氧烷液态硼源通过旋涂、烘干和扩散等工艺，可在N型硅片上得到30‑200Ω/□的方块电阻。该硼源的浓度和纯度高，适用于旋涂硼扩散制程。其制备方法简单易行、合成条件温和、材料成本低，适于大规模生产和利用。
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公开(公告)号：CN103087713B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310016039.8
申请日：2013-01-16
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明提出了一种新型含碳二亚胺结构的荧光粉及其制备方法，其化学式为：Aa(Lnb-f-g，Cef，Xg)(Mc-e，Eue)(CN2)d，其中：A为碱金属Li、Na中的一种或者它们的组合；Ln为三价Y、Gd、La、Al中的一种或以上；M为二价碱土金属Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或以上，X为三价共激活剂Pr、Sm、Dy中的一种及以上。该荧光粉由原料在NH3气氛下经一步或两步烧结而成，所得荧光粉在320～480nm的光激发下，其发射光谱峰可从480～650nm调节。该荧光粉可用但不限于白光LED的制备。
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公开(公告)号：CN101899307A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010126816.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 华东理工大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 共掺Er3+，Dy3+的上转换荧光粉及其制备方法，它涉及一种转换荧光粉及其制备方法。它解决了现有技术中生产上转换荧光材料合成温度高、粒度分布不均匀、晶体中有杂相和在红外光谱区光谱吸收少的问题。这种上转换荧光粉的体系结构式为：NaY1-x-y(ErxDyy)F4；其方法是将所需原料按比例混合，经搅拌、保温、冷却后取出反应物，反应物经离心、清洗、烘干后得共掺Er3+，Dy3+的上转换荧光粉。本发明采用水热法，制备工艺简单、合成温度仅为160～200℃、成本低、所得产物为微米级、粒径分布为5～10μm、粒度分布均匀、晶体晶型纯度高、无其他杂相，实现了在红外光谱区具有较强吸收谱峰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101759361A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010022886.1
申请日：2010-01-18
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 一种稀土掺杂发光玻璃及其制备方法，本发明涉及以Mn2+离子和稀土离子Tb3+离子掺杂的磷酸盐发光玻璃及其制备方法。现在白光LED作为一种新的固体光源，其中以半导体化合物InGaN为基础的白光LED有型固体化，耐震动，不易损坏，节能且寿命长等特点。本发明中涉及的发光玻璃作为LED基质玻璃具有稳定的发光和在紫外区的优良吸收特点，在一定范围内改变Tb3+离子和Mn2+的掺入量，并通过在玻璃中Tb3+对Mn2+的能量传递作用，可以混合形成白光。
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公开(公告)号：CN101397190A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710046464.6
申请日：2007-09-27
Applicant: 华东理工大学
IPC: C03C3/32
Abstract: 本发明公开了可应用于热成像系统、红外光学、光电子学等领域的一种硒基透可见硫卤玻璃及其制备方法。应用主要为透红外光学元件和热成像系统的光学透镜材料。本发明是一种以Ge、In、Se和CsI为主要成分，确定了其玻璃形成区。制备方法包括：(a)石英安瓿的预处理，(b)玻璃配合料的纯化处理，(c)真空封接，(d)玻璃熔制等四个步骤。所得到的玻璃经表面研磨、抛光处理后做红外光谱、可见近红外光谱、密度和DTA等测试。结果显示，该含铟硫卤玻璃的成玻性能优良，在较大的范围内均可形成均匀的玻璃，其在0.56～16μm的红外区均具有优良的透过能力，覆盖了3～5μm和8～12μm两个大气窗口，热力学性能优良，通过调整玻璃组成，可以得到具有热稳定性高的玻璃，DTA测试无析晶峰出现。
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公开(公告)号：CN100462408C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610052444.5
申请日：2006-07-13
Applicant: 横店得邦电子有限公司 , 华东理工大学
Abstract: 本发明公开了一种阻挡紫外线幅射用保护膜粉浆及灯管的涂敷方法。用二氧化钛粉和水配成重量比为0.3-12Wt%的浆料。所述的水最好为去离子水，所述的二氧化钛最好为金红石型或锐钛矿型，所述的二氧化钛粒度最好为10-100nm，所述的保护膜浓度最好为0.5-10Wt%。将所述的粉浆用喷涂或吸涂的方法涂敷于明管内表面，涂敷厚度为50-1500nm，然后在80-140摄氏度的热风炉中干燥。所述的涂层厚度最好为100-1000nm。采用本发明的有益效果是：紫外线透过率低，光通维持率高，性能稳定，寿命长，操作简单，成本低，可方便回收涂敷不良的荧光粉管，且易于推广。
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公开(公告)号：CN1857833A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610027065.0
申请日：2006-05-30
Applicant: 华东理工大学 , 上海太阳能科技有限公司
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池电极用印刷浆料中银粉的制备方法。其特征在于，将硝酸银水溶液、催化剂NH4OH水溶液和还原剂水溶液，采用并流匀速加料的方式，加入到含有保护剂的底液中，反应产物为金属银粉。反应结束后，从反应体系中收集银，该银粉为球形，颗粒尺寸为0.2－1μ。本发明的方法，能够方便的制备颗粒尺寸为0.2－1μ，分布窄而均匀，结构致密，表面光滑，纯度高，适应用于高转化效率太阳能电池印刷导电浆料中的金属银组分，具有较大的工业化前景。
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公开(公告)号：CN1821132A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610024737.2
申请日：2006-03-16
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高二阶非线性极化率的硫卤玻璃及其热极化方法。本发明涉及的玻璃组成为：(70－x)GeS2－(15+x/2)Ga2S3－(15+x/2)RH，本发明在样品冷却过程中不断提高极化电压，得到高达5.7pm/V的二阶非线性极化率，并能在室温下长期稳定存在。本发明的玻璃为极具发展潜力的倍频及光电调制材料。对光电工业的发展及军工实力的提高都具有重要的作用。
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