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公开(公告)号:CN112378994B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202011239284.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 华东理工大学
IPC: G01N27/904 , G01R33/09
Abstract: 一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头,属检测领域。包括矩形双层印刷TMR电路板、TMR磁阻传感器组、TMR阵列检测元件、第一、第二线圈骨架、第一、第二矩形激励线圈、探头主外壳和探头副外壳;TMR阵列检测元件安装在第一矩形激励线圈和第二矩形激励线圈的几何中心位置;电磁检测探头的扫描方向垂直于TMR阵列检测元件的排布方向。其选用TMR磁阻传感器组来代替常规线圈探头,突破了常规涡流线圈探头无法检测深层缺陷的瓶颈,不仅可以检测非铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,亦可检测铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,大大提高了检测深度与灵敏度,结构简单,操作方便,性能稳定,测量精度高。
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公开(公告)号:CN113203792A
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN202110480017.1
申请日:2021-04-30
Applicant: 华东理工大学
IPC: G01N27/904 , G01N27/83
Abstract: 一种TMR多阵列的深层缺陷弱磁检测装置,属检测领域。由双激励信号发生模块、功率放大器模块、TMR阵列检测探头、电源模块、前级放大电路、滤波电路、后级放大电路、锁相放大电路、数据采集模块及上位机组成;双激励信号发生模块输出两通道正弦信号或脉冲信号,经由功率放大器模块放大传输给TMR阵列检测探头中对称布置的差分式双激励线圈;TMR阵列检测探头中的TMR传感器阵列检测元件,采集被测金属材料构件深层缺陷处的感应磁场畸变信息信号,由前级放大电路、滤波电路、后级放大电路、锁相放大电路信号处理后,经数据采集模块将检测信号传输给上位机,显示缺陷处的弱磁场畸变图像,实现金属材料构件表面、次表面、深层缺陷的检测。
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公开(公告)号:CN112378994A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011239284.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 华东理工大学
IPC: G01N27/904 , G01R33/09
Abstract: 一种基于TMR磁阻传感器阵列的金属构件深层缺陷的电磁检测探头,属检测领域。包括矩形双层印刷TMR电路板、TMR磁阻传感器组、TMR阵列检测元件、第一、第二线圈骨架、第一、第二矩形激励线圈、探头主外壳和探头副外壳;TMR阵列检测元件安装在第一矩形激励线圈和第二矩形激励线圈的几何中心位置;电磁检测探头的扫描方向垂直于TMR阵列检测元件的排布方向。其选用TMR磁阻传感器组来代替常规线圈探头,突破了常规涡流线圈探头无法检测深层缺陷的瓶颈,不仅可以检测非铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,亦可检测铁磁性材料构件的表面、次表面、深层缺陷,大大提高了检测深度与灵敏度,结构简单,操作方便,性能稳定,测量精度高。
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