汞离子荧光传感器及其合成方法和应用

    公开(公告)号:CN103254891A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310163699.9

    申请日:2013-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种如式(I)所示的汞离子荧光传感器,包括罗丹明B骨架,阴离子健合单元脲或者硫脲及其传感的信号单元荧光分子基团。本发明还公开了汞离子荧光传感器的合成方法。本发明还提供了式(I)汞离子荧光传感器在汞离子检测中的应用。与现有的技术相比,本发明使用的原料易得,合成步骤简单,后处理方便,易实现规模化生产。

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