公开(公告)号：CN109427722B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201810967435.1

申请日：2018-08-23

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： M·C·埃斯塔西奥 ,  M·巴尔托洛 ,  M·C·Y·基诺内斯 ,  吴宗麟

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/482 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请涉及具有电隔离的电子装置封装。在一个一般方面中，一种电子装置组合件可包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的电介质衬底，以及引线框，所述引线框包含：包含第一多个信号引线的第一引线框部分；以及包含第二多个信号引线的第二引线框部分。所述衬底可与所述第一多个信号引线的子集和所述第二多个信号引线的子集耦合。所述第一多个信号引线的除所述第一多个信号引线的所述子集外的信号引线可与所述电介质衬底间隔开。所述第二多个信号引线的除所述第二多个信号引线的所述子集外的信号引线可与所述电介质衬底间隔开。所述组合件可进一步包含与所述衬底和所述引线框部分电耦合的第一和第二半导体裸片。

公开(公告)号：CN116247023A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310241541.2

申请日：2018-08-23

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： M·C·埃斯塔西奥 ,  M·巴尔托洛 ,  M·C·Y·基诺内斯 ,  吴宗麟

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/482 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请涉及具有电隔离的电子装置封装。在一个一般方面中，一种电子装置组合件可包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的电介质衬底，以及引线框，所述引线框包含：包含第一多个信号引线的第一引线框部分；以及包含第二多个信号引线的第二引线框部分。所述衬底可与所述第一多个信号引线的子集和所述第二多个信号引线的子集耦合。所述第一多个信号引线的除所述第一多个信号引线的所述子集外的信号引线可与所述电介质衬底间隔开。所述第二多个信号引线的除所述第二多个信号引线的所述子集外的信号引线可与所述电介质衬底间隔开。所述组合件可进一步包含与所述衬底和所述引线框部分电耦合的第一和第二半导体裸片。

公开(公告)号：CN109427722A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810967435.1

申请日：2018-08-23

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： M·C·埃斯塔西奥 ,  M·巴尔托洛 ,  M·C·Y·基诺内斯 ,  吴宗麟

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/482 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 本申请涉及具有电隔离的电子装置封装。在一个一般方面中，一种电子装置组合件可包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的电介质衬底，以及引线框，所述引线框包含：包含第一多个信号引线的第一引线框部分；以及包含第二多个信号引线的第二引线框部分。所述衬底可与所述第一多个信号引线的子集和所述第二多个信号引线的子集耦合。所述第一多个信号引线的除所述第一多个信号引线的所述子集外的信号引线可与所述电介质衬底间隔开。所述第二多个信号引线的除所述第二多个信号引线的所述子集外的信号引线可与所述电介质衬底间隔开。所述组合件可进一步包含与所述衬底和所述引线框部分电耦合的第一和第二半导体裸片。

公开(公告)号：CN109698178B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201811222068.9

申请日：2018-10-19

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： J·泰塞伊雷 ,  M·C·埃斯塔西奥 ,  林承园

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

公开(公告)号：CN109698178A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811222068.9

申请日：2018-10-19

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： J·泰塞伊雷 ,  M·C·埃斯塔西奥 ,  林承园

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。