公开(公告)号：CN109698178B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201811222068.9

申请日：2018-10-19

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： J·泰塞伊雷 ,  M·C·埃斯塔西奥 ,  林承园

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

公开(公告)号：CN109698178A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811222068.9

申请日：2018-10-19

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： J·泰塞伊雷 ,  M·C·埃斯塔西奥 ,  林承园

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二碳化硅裸片的所述裸片栅极导体之间，其中所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。

公开(公告)号：CN108538806B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201810180876.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： 林承园 ,  郑万教 ,  李秉玉 ,  孙焌瑞 ,  全五燮

IPC: H01L23/50

Abstract: 本发明涉及具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块。在一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括与第二衬底操作地耦合的第一衬底。所述装置还可包括电源端子组件，所述电源端子组件包括沿着第一平面对准的第一电源端子，所述第一电源端子与所述第一衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括沿着第二平面对准的第二电源端子，所述第二电源端子与所述第二衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括电源端子框架，所述电源端子框架具有设置在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间的隔离部分，以及设置在所述第一电源端子的一部分周围并且设置在所述第二电源端子的一部分周围的保持部分。

公开(公告)号：CN108538806A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810180876.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 半导体组件工业公司

Inventor： 林承园 ,  郑万教 ,  李秉玉 ,  孙焌瑞 ,  全五燮

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/645 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/074 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48484 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明涉及具有减小的杂散电感的封装半导体器件和模块。在一般方面，本发明公开了一种装置，所述装置可包括与第二衬底操作地耦合的第一衬底。所述装置还可包括电源端子组件，所述电源端子组件包括沿着第一平面对准的第一电源端子，所述第一电源端子与所述第一衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括沿着第二平面对准的第二电源端子，所述第二电源端子与所述第二衬底电耦合。所述电源端子组件还可包括电源端子框架，所述电源端子框架具有设置在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间的隔离部分，以及设置在所述第一电源端子的一部分周围并且设置在所述第二电源端子的一部分周围的保持部分。