公开(公告)号：CN112301346A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011191614.4

申请日：2018-07-24

Applicant: 千住金属工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 酒金婷 ,  上岛稔 ,  菅沼克昭 ,  李万里

IPC: C23C26/00 ,  H05K3/12 ,  C22C9/00 ,  C22C5/08 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及铜银合金的合成方法、导通部的形成方法、铜银合金、以及导通部。本发明提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。

公开(公告)号：CN111032912A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880049672.8

申请日：2018-07-24

Applicant: 千住金属工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 酒金婷 ,  上岛稔 ,  菅沼克昭 ,  李万里

IPC: C23C26/00 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B13/00 ,  H05K3/12 ,  C22C9/00 ,  C22C5/08

Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。

公开(公告)号：CN103501959B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280020363.0

申请日：2012-02-27

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： H·J·阿尔布雷希特 ,  K·维尔克 ,  菅沼克昭 ,  上岛稔

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K35/262 ,  B23K35/0244 ,  C22C1/02 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H05K1/0263 ,  H05K3/3463 ,  Y10T403/479

Abstract: 本发明涉及焊料接头，其是用于功率器件等的、能够耐受高电流密度而不发生电迁移的焊料接头，所述焊料接头由Sn-Ag-Bi-In系合金形成。该焊料接头是利用本质上由2～4质量%的Ag、2～4质量%的Bi、2～5质量%的In、余量的Sn组成的焊料合金形成的。该焊料合金还可以含有Ni、Co和Fe中的一种以上。

公开(公告)号：CN111032912B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201880049672.8

申请日：2018-07-24

Applicant: 千住金属工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 酒金婷 ,  上岛稔 ,  菅沼克昭 ,  李万里

IPC: C23C26/00 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B13/00 ,  H05K3/12 ,  C22C9/00 ,  C22C5/08

Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。

公开(公告)号：CN112301346B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202011191614.4

申请日：2018-07-24

Applicant: 千住金属工业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 酒金婷 ,  上岛稔 ,  菅沼克昭 ,  李万里

IPC: C23C26/00 ,  H05K3/12 ,  C22C9/00 ,  C22C5/08 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及铜银合金的合成方法、导通部的形成方法、铜银合金、以及导通部。本发明提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。

公开(公告)号：CN103501959A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020363.0

申请日：2012-02-27

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： H·J·阿尔布雷希特 ,  K·维尔克 ,  菅沼克昭 ,  上岛稔

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K35/262 ,  B23K35/0244 ,  C22C1/02 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H05K1/0263 ,  H05K3/3463 ,  Y10T403/479

Abstract: 本发明涉及焊料接头，其是用于功率器件等的、能够耐受高电流密度而不发生电迁移的焊料接头，所述焊料接头由Sn-Ag-Bi-In系合金形成。该焊料接头是利用本质上由2～4质量%的Ag、2～4质量%的Bi、2～5质量%的In、余量的Sn组成的焊料合金形成的。该焊料合金还可以含有Ni、Co和Fe中的一种以上。