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公开(公告)号:CN112272851A
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201980039267.2
申请日:2019-03-20
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料,其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂,相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份,前述薄片状银粉的含量为15~70质量份,前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。
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公开(公告)号:CN112272851B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201980039267.2
申请日:2019-03-20
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料,其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂,相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份,前述薄片状银粉的含量为15~70质量份,前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。
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