低电阻片状电阻器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1196820A

    公开(公告)日:1998-10-21

    申请号:CN97190775.7

    申请日:1997-06-25

    CPC classification number: H01C17/02 H01C1/034 H01C17/006

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种使用温度系数以及电阻值偏差小的厚膜电阻体的低电阻片状电阻器。从绝缘性基板2的表面的一端或一端附近到另一端或另一端附近涂敷低电阻膏形成膏层,烧制该膏层形成低电阻值的电阻体3。作为低电阻膏,使用包含Ag和Pd,并且(Pd的重量)/(Pd的重量+Ag的重量)的比是10-20%的合金釉膏。在电阻体3上形成由绝缘材料构成的外包层5,使其在电阻体3的两端留出具有连接锡焊用电极4、4所必须的很小宽度尺寸的一对连接电极部分3a。

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