公开(公告)号：CN102792410B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180012778.9

申请日：2011-03-08

Applicant: 北陆电气工业株式会社

Inventor： 竹内胜己 ,  黑川宽幸

IPC: H01H85/11 ,  C22C19/03 ,  C23C28/00 ,  C25D7/00 ,  H01H85/046

CPC classification number: H01H85/0411 ,  C22C19/03 ,  C22C19/058 ,  C25D5/505 ,  H01H85/046 ,  H01H85/06 ,  H01H2085/0414

Abstract: 本发明提供在低温确实熔断的芯片熔断器。在绝缘基板(1)的表面上形成表面电极,在表面电极(3)上形成Ni-P-Fe镀敷层(15),在Ni-P-Fe镀敷层(15)上形成Sn镀敷层(17)。而且,采用由绝缘树脂材料构成的外涂层被覆Sn镀敷层(17)。

公开(公告)号：CN102792410A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012778.9

申请日：2011-03-08

Applicant: 北陆电气工业株式会社

Inventor： 竹内胜己 ,  黑川宽幸

IPC: H01H85/11 ,  C22C19/03 ,  C23C28/00 ,  C25D7/00 ,  H01H85/046

CPC classification number: H01H85/0411 ,  C22C19/03 ,  C22C19/058 ,  C25D5/505 ,  H01H85/046 ,  H01H85/06 ,  H01H2085/0414

Abstract: 本发明提供在低温确实熔断的芯片熔断器。在绝缘基板(1)的表面上形成表面电极,在表面电极(3)上形成Ni-P-Fe镀敷层(15),在Ni-P-Fe镀敷层(15)上形成Sn镀敷层(17)。而且,采用由绝缘树脂材料构成的外涂层被覆Sn镀敷层(17)。

公开(公告)号：CN102057448B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980120385.2

申请日：2009-06-01

Applicant: 北陆电气工业株式会社

Inventor： 竹内胜己 ,  野村丰 ,  黑川宽幸

IPC: H01C7/00 ,  H01C1/012 ,  H01C17/06

CPC classification number: H01C7/003 ,  H01C1/06 ,  H01C17/006 ,  H01C17/06506 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种制造容易，而且不会使价格提高，防止在绝缘基板中产生裂缝、或破损的芯片电阻器等芯片状电气部件。一对表面电极21、23形成为，随着从电阻层13朝向位于一对表面电极21、23排列的方向上的绝缘基板29的一对端部30，其厚度变厚。在表面电极21、23与绝缘保护层15之间形成了镀敷积聚部S。在形成1层以上的镀敷层33时，镀敷金属积聚于镀敷积聚部S，可以通过镀敷层33某种程度上减少形成于锡焊电极部21、23、27以及33与绝缘保护层15之间的阶差。

公开(公告)号：CN102057448A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980120385.2

申请日：2009-06-01

Applicant: 北陆电气工业株式会社

Inventor： 竹内胜己 ,  野村丰 ,  黑川宽幸

IPC: H01C7/00 ,  H01C1/012 ,  H01C17/06

CPC classification number: H01C7/003 ,  H01C1/06 ,  H01C17/006 ,  H01C17/06506 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种制造容易，而且不会使价格提高，防止在绝缘基板中产生裂缝、或破损的芯片电阻器等芯片状电气部件。一对表面电极21、23形成为，随着从电阻层13朝向位于一对表面电极21、23排列的方向上的绝缘基板29的一对端部30，其厚度变厚。在表面电极21、23与绝缘保护层15之间形成了镀敷积聚部S。在形成1层以上的镀敷层33时，镀敷金属积聚于镀敷积聚部S，可以通过镀敷层33某种程度上减少形成于锡焊电极部21、23、27以及33与绝缘保护层15之间的阶差。