一种八棱多晶金刚石及其制备方法

    公开(公告)号:CN119956484A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510128588.7

    申请日:2025-01-27

    Abstract: 本发明提供一种八棱多晶金刚石及其制备方法,涉及MPCVD沉积技术领域。本发明提供所述八棱多晶金刚石的制备方法,包括以下步骤:将金刚石细粉放置于衬底,通过加压研磨在衬底表面形成形核点;将载有形核点的衬底放入设备中进行初次沉积,得到纳米晶金刚石膜;后升高沉积台进行二次沉积,得到二次沉积金刚石膜,将八棱多晶金刚石从二次沉积金刚石膜上取下,得到八棱多晶金刚石。本发明先利用加压研磨法在衬底表面产生形核点,再通过调控等离子体组分、等离子体温度及垂直方向等离子体分布,最终成功制备出八棱多晶金刚石,其中制备的八棱多晶金刚石应用范围广。

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