公开(公告)号：CN103643212A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310625564.X

申请日：2013-11-28

Applicant: 北方工业大学

Inventor： 赵全亮 ,  何广平 ,  狄杰建 ,  袁俊杰 ,  王大伟 ,  苏德志 ,  李中翔

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明提出了一种在Si基衬底上制备高(110)取向非极性氧化锌薄膜的方法，以Si为衬底，ZnO靶材作为锌源和氧源，Ar为工作气体，O2为反应气体，采用磁控溅射法，通过控制真空度小于8×10-4Pa，生长温度为100～400℃，同时通入一定比例的Ar和O2制备薄膜。该方法包括在Si基衬底上生长(100)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层和在(100)LNO/Si衬底上生长高(110)取向的ZnO薄膜。通过加入LNO缓冲层，可以有效实现高(110)取向非极性ZnO薄膜生长，其光致发光谱中带边发射明显增强，缺陷发光峰明显减弱。