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公开(公告)号：CN115169564A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210661654.3
申请日：2022-06-13
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
IPC: G06N10/20
Abstract: 本发明提供了一种量子比特系统，包括量子比特芯片和用于量子比特耦合的谐振腔，其中所述谐振腔包括：第一半腔，为顶面具有开口的中空结构，所述顶面上设置有槽，用于放置量子比特芯片；第二半腔，为底面具有开口的中空结构，配置成与所述第一半腔拼接，形成内部为长方体的空腔，所述量子比特芯片位于所述长方体的空腔的中心区域；所述第一半腔与所述第二半腔采用无氧铜材料制成。本发明所提供的量子比特系统中，三维的无氧铜谐振腔作为量子比特的读取谐振腔，解决了超导共面波导谐振腔的磁场兼容问题，减弱了相应的电流加热效应。该谐振腔封闭的空间结构使量子比特免受外部电磁环境的干扰，延长了量子比特的退相干时间，并且简化了器件制备工艺。
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公开(公告)号：CN115169564B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210661654.3
申请日：2022-06-13
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
IPC: G06N10/20
Abstract: 本发明提供了一种量子比特系统，包括量子比特芯片和用于量子比特耦合的谐振腔，其中所述谐振腔包括：第一半腔，为顶面具有开口的中空结构，所述顶面上设置有槽，用于放置量子比特芯片；第二半腔，为底面具有开口的中空结构，配置成与所述第一半腔拼接，形成内部为长方体的空腔，所述量子比特芯片位于所述长方体的空腔的中心区域；所述第一半腔与所述第二半腔采用无氧铜材料制成。本发明所提供的量子比特系统中，三维的无氧铜谐振腔作为量子比特的读取谐振腔，解决了超导共面波导谐振腔的磁场兼容问题，减弱了相应的电流加热效应。该谐振腔封闭的空间结构使量子比特免受外部电磁环境的干扰，延长了量子比特的退相干时间，并且简化了器件制备工艺。
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公开(公告)号：CN113838964B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111080289.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体
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公开(公告)号：CN113889564A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111081892.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明涉及异质结制备技术领域，具体而言，涉及一种复合材料异质结的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上镀掩模，在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶，经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶，经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽，刻蚀除去凹槽中的掩模，除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料，使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度，使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料，在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结；第一相材料为半导体纳米线。该方法能够进行选区生长半导体纳米线。
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公开(公告)号：CN113838964A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111080289.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000803B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210559480.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
CPC classification number: H01L43/10 , H01B17/005 , H01L43/06 , H01L43/14 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种电学器件，包括绝缘基底及磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该绝缘基底具有相对的第一表面及第二表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜生长在该第一表面，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0
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公开(公告)号：CN103022344B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210559554.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底及设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0.05
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公开(公告)号：CN102995117B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210559458.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
CPC classification number: C30B25/186 , C30B23/002 , C30B23/025 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底；将该钛酸锶基底在分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流的流量从而控制Bi、Sb、Cr及Te之间的比例，使Cr在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与Bi在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，从而在该钛酸锶基底的该表面形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0
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公开(公告)号：CN103022341B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210559564.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括绝缘基底及生长在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0
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公开(公告)号：CN102995117A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210559458.1
申请日：2012-12-21
Applicant: 清华大学 , 中国科学院物理研究所
CPC classification number: C30B25/186 , C30B23/002 , C30B23/025 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底；将该钛酸锶基底在分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流的流量从而控制Bi、Sb、Cr及Te之间的比例，使Cr在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与Bi在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，从而在该钛酸锶基底的该表面形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0
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