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公开(公告)号：CN116885029B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311132320.8
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN116598369A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310875967.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种低噪声单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；钝化层，形成于衬底的第一表面；第一电荷层，形成于衬底内；第二电荷层，形成于衬底内且位于第一电荷层的背向钝化层的一侧，第二电荷层与第一电荷层接触，第一电荷层与第二电荷层的掺杂类型不同，第一电荷层和第二电荷层中的至少一个构造为适于束缚光生电荷，第一电荷层与第二电荷层中的至少一个的特征尺寸小于500nm；第一接触电极，第一接触电极与第一电荷层连接；第二接触电极，第二接触电极与衬底连接。根据本发明的低噪声单光子探测器，基于量子限制斯塔克效应，在光子入射前处于线性模式，在光子入射后触发雪崩效应，可以降低雪崩背景噪声，提高器件探测效率。
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公开(公告)号：CN115032913B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210577530.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型，该仿真电路包括：输入单元、雪崩触发压控开关、提供雪崩光电二极管击穿电压的电压源及第一电阻；输入单元包括光子入射单元、暗计数单元及后脉冲单元，输入单元输出端连接雪崩触发压控开关正极控制端；暗计数单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；后脉冲单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；电压源与雪崩光电二极管阴极、第一电阻输入端连接；雪崩触发压控开关输入端与第一电阻输出端连接，其输出端连接雪崩光电二极管阳极，负极控制端接地。本申请仿真电路能够模拟雪崩光电二极管的光子、暗计数及后脉冲特性，提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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公开(公告)号：CN115295647B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211219235.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN115295647A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211219235.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115032913A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210577530.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型，该仿真电路包括：输入单元、雪崩触发压控开关、提供雪崩光电二极管击穿电压的电压源及第一电阻；输入单元包括光子入射单元、暗计数单元及后脉冲单元，输入单元输出端连接雪崩触发压控开关正极控制端；暗计数单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；后脉冲单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；电压源与雪崩光电二极管阴极、第一电阻输入端连接；雪崩触发压控开关输入端与第一电阻输出端连接，其输出端连接雪崩光电二极管阳极，负极控制端接地。本申请仿真电路能够模拟雪崩光电二极管的光子、暗计数及后脉冲特性，提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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公开(公告)号：CN114551629A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210441131.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109586146A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910023024.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N-型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N-型电极、P-型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发射激光；N-型DBR反射镜沉积于衬底的任一端面上；每一激光发射组件沉积于每一凸起结构上；钝化层覆盖沉积在激光发射组件和N-型DBR反射镜表面上，且钝化层的第一部位处设有开口；非线性晶体相对开口、固定置于与开口相距预设距离的位置；N-型电极贯穿钝化层与N-型DBR反射镜电连接；P-型电极环绕开口、贯穿钝化层与激光发射组件电连接；且各个激光发射组件之间的连接方式为串联连接或并联连接。应用本发明实施例提供的发生器具有高的集成度。
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公开(公告)号：CN109192799A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
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公开(公告)号：CN117471265B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311408089.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R31/26 , G06F30/367 , G01J1/44
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路。该电路包括：光子入射单元、阴极、阳极、电流单元、触发开关以及自持开关；所述光子入射单元的输出端与所述触发开关的正极控制端连接，用于输出脉冲电压以模拟光子输出，所述脉冲电压用于控制所述触发开关的通断；所述电流单元的输入端与阴极连接，输出端分别与所述触发开关的输入端、所述自持开关的输入端连接，用于根据电流概率分布函数提供动态的雪崩电流；所述触发开关的输出端、所述自持开关的输出端与阳极连接，所述触发开关的负极控制端接地。由于本申请电路中的电流单元能够根据电流概率分布函数确定随机的电流值，能够有效模拟雪崩信号的随机性，从而提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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