公开(公告)号：CN118426106A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410315164.7

申请日：2024-03-19

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 张天 ,  谷开道 ,  蔡子立 ,  戴键 ,  徐坤

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/24 ,  G06F30/17 ,  G06F30/27 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供一种基于神经网络的功分比可调的垂直耦合功分器，所述基于神经网络的功分比可调的垂直耦合功分器包括顶硅层、二氧化硅层和衬底硅层，所述二氧化硅层设置在衬底硅层上，所述顶硅层设置在二氧化硅层上；所述顶硅层包括刻蚀区域和两个端口区域，所述刻蚀区域为正方形区域，两个所述端口区域分别与正方形区域相邻的两条边相连接，所述刻蚀区域设置有阵列的多个刻蚀位置，每个刻蚀位置均用于刻蚀一个刻蚀槽，所述刻蚀槽均为正八棱柱空腔，各个刻蚀槽的正八棱柱空腔的结构参数为预设的多个结构参数的任一种。当入射光照射到刻蚀槽构建的光栅上时，会引起光的衍射、干涉以及布拉格散射效应，完成对光信号的耦合和功分，提高处理效率。