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公开(公告)号：CN103325663A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210080333.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103325663B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210080333.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法，涉及纳米工程领域。所述方法采用MOCVD设备，具体包括步骤：在衬底上沉积纳米金属颗粒或者金属薄膜，退火后形成纳米合金颗粒；以纳米合金颗粒作为催化物，沿与衬底相垂直的方向生长纳米线；结束纳米线的轴向生长，在纳米线的侧壁上生长单层或者多层量子点。所述方法采用MOCVD设备，直接在六棱柱形的纳米线的侧壁上生长量子点，简化了现有制备方法的繁琐步骤，并且降低了制备成本；同时，所述方法通过在量子点的外面覆盖与纳米线相同材料的薄膜，可以在纳米线的侧壁生长多层量子点，使得到的复合纳异质结构性能更佳，在新一代的纳米光电子器件中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103050564A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210564670.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池，其特征在于，包括：径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极；其中：径向pn结，包括纳米线和壳层，壳层位于纳米线外侧，所述径向pn结至少为二个，沿纳米线轴向方向排列；位于上一节的径向pn结的材料的带隙宽度比位于下一节的径向pn结的材料的带隙宽度大；重掺杂隧道结，位于二节径向pn结之间；电介质薄膜，包裹于径向pn结和重掺杂隧道结的外侧；衬底，位于所述器件的底层；透明电极，位于所述器件的顶层；背电极，位于衬底的底面。本发明提供的技术方案充分结合了纳米线径向pn结高的转化效率和轴向多节结构宽的吸收光谱的优点，进一步提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN103050564B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210564670.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池，其特征在于，包括：径向pn结、重掺杂隧道结、电介质薄膜、衬底、透明电极、背电极；其中：径向pn结，包括纳米线和壳层，壳层位于纳米线外侧，所述径向pn结至少为二个，沿纳米线轴向方向排列；位于上一节的径向pn结的材料的带隙宽度比位于下一节的径向pn结的材料的带隙宽度大；重掺杂隧道结，位于二节径向pn结之间；电介质薄膜，包裹于径向pn结和重掺杂隧道结的外侧；衬底，位于所述器件的底层；透明电极，位于所述器件的顶层；背电极，位于衬底的底面。本发明提供的技术方案充分结合了纳米线径向pn结高的转化效率和轴向多节结构宽的吸收光谱的优点，进一步提高了器件的性能。
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