公开(公告)号：CN117766404A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311789520.0

申请日：2023-12-22

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  熊龙海 ,  解靖烨 ,  史建兵 ,  许登钦 ,  张鸣鹤 ,  张兴 ,  刘力锋

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明公开一种铟锌氧化物晶体管的工艺制作方法，属于微纳电子器件领域。本发明可应用于纳米尺寸的氧化物晶体管，通过磁控溅射工艺连续溅射保护层和源/漏电极，所述保护层对有源层与源/漏电极的接触面进行连接，阻挡了源/漏电极材料向有源层的扩散现象，同时优化接触特性，提升氧化物晶体管的性能。本发明步骤简单、制备温度低、且成本低，可有效提升氧化物晶体管的性能，为我国集成电路发展提供技术支撑。