公开(公告)号：CN118380384A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410418064.7

申请日：2024-04-09

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  段瑞斌 ,  方志增 ,  许登钦 ,  张鸣鹤 ,  解靖烨 ,  张兴 ,  刘力锋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种自对准垂直沟道晶体管结构及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该方法包括：提供衬底和二氧化硅层，并对二氧化硅层进行刻蚀，形成二氧化硅凹槽；形成覆盖二氧化硅凹槽底部的共用漏极、覆盖二氧化硅凹槽外部的部分二氧化硅层的上表面的第一晶体管的源极和第二晶体管的源极；形成第二硬掩膜层，在共用漏极、二氧化硅凹槽侧壁、第一晶体管的源极、第二晶体管的源极以及第二硬掩膜层限定的区域采用自对准工艺依次形成有源层、栅介质层和栅极层。本申请提供的方法及其结构，可使得有源层、栅介质层和栅极层完全自对准沉积，保证层间完全对准，且可避免晶体管栅极端与晶体管源端相连从而导致晶体管发生电学短路失效。

公开(公告)号：CN117637617A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311677896.2

申请日：2023-12-08

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  李岳 ,  方志增 ,  罗易 ,  许登钦 ,  张兴 ,  刘力锋 ,  王漪

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种制备垂直沟道金属氧化物半导体晶体管的方法，属于半导体技术领域。本发明首先RIE刻蚀氧化硅隔离层形成沟槽，再分别制备源/漏电极、有源层、栅介质层以及金属栅电极，得到由位于沟槽内的栅极控制的串联垂直沟道氧化物晶体管。采用本发明可以避免源漏交叠区的产生以及其导致的源漏寄生电容；可以通过一次光刻形成两个晶体管的串联。