公开(公告)号：CN114300009A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111624575.7

申请日：2021-12-28

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨建国 ,  罗庆 ,  韩忠泽 ,  张栋林 ,  韩永康

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，可以实现降低功耗的同时也可以保证铁电存储器的读写性能，使得铁电存储器的应用场景得到进一步的拓展，不仅能满足节能型芯片的低功耗要求，同时也可以在需要快速写入时提高写入速度，提高了铁电存储器的使用寿命。

公开(公告)号：CN114300009B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202111624575.7

申请日：2021-12-28

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨建国 ,  罗庆 ,  韩忠泽 ,  张栋林 ,  韩永康

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，可以实现降低功耗的同时也可以保证铁电存储器的读写性能，使得铁电存储器的应用场景得到进一步的拓展，不仅能满足节能型芯片的低功耗要求，同时也可以在需要快速写入时提高写入速度，提高了铁电存储器的使用寿命。