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公开(公告)号：CN114300009B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202111624575.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，可以实现降低功耗的同时也可以保证铁电存储器的读写性能，使得铁电存储器的应用场景得到进一步的拓展，不仅能满足节能型芯片的低功耗要求，同时也可以在需要快速写入时提高写入速度，提高了铁电存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114300009A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111624575.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压所占的时间比例，完成数据的写入，可以实现降低功耗的同时也可以保证铁电存储器的读写性能，使得铁电存储器的应用场景得到进一步的拓展，不仅能满足节能型芯片的低功耗要求，同时也可以在需要快速写入时提高写入速度，提高了铁电存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114333938B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202111618117.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路、方法及电子设备，涉及微电子技术领域。电路包括：检测电容差分子电路，与检测电容差分子电路通过位线连接的差分电流镜子电路，以及与差分电流镜子电路电连接的操作电压生成模块；检测电容差分子电路在接收到写入数值时，控制位线归零，在位线上形成第一电压差，将第一电压差值作为差分电流镜子电路的输入电压差值；差分电流镜子电路基于输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值；操作电压生成模块基于至少三个不同的输出电压差值确定电容操作电压，可以实现不同的输出电压至确定不同工况场景下的电容操作电压，可以自适应于工艺的波动，实现电容操作电压的调整，提高铁电电容的寿命。
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公开(公告)号：CN114333938A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111618117.2
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路、方法及电子设备，涉及微电子技术领域。电路包括：检测电容差分子电路，与检测电容差分子电路通过位线连接的差分电流镜子电路，以及与差分电流镜子电路电连接的操作电压生成模块；检测电容差分子电路在接收到写入数值时，控制位线归零，在位线上形成第一电压差，将第一电压差值作为差分电流镜子电路的输入电压差值；差分电流镜子电路基于输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值；操作电压生成模块基于至少三个不同的输出电压差值确定电容操作电压，可以实现不同的输出电压至确定不同工况场景下的电容操作电压，可以自适应于工艺的波动，实现电容操作电压的调整，提高铁电电容的寿命。
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