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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108631036A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810310542.7
申请日：2018-04-09
Applicant: 北京翰飞电子科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种单芯片正交3dB定向耦合器，采用单个芯片，包括管芯、衬底及金属走线；芯片中包括至少六个无源器件；无源器件为电感器或电容器；无源器件中至少两个为电感器；管芯上的两个电感器的构造分别由上层金属走线和下层金属走线平面绕线制成，分别称为上层电感和下层电感；上层电感的上层金属走线与下层电感的下层金属走线重叠，两个电感叠加产生互感；两个电感之间有介质层。管芯上的衬底材料为硅、碳化硅、蓝宝石、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体或者其他掺杂半导体材料中一种或多种。金属走线的材料为金、铜或其他金属。本发明外形尺寸紧凑，集成度高；成本低廉；精度可控，一致性好。
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公开(公告)号：CN106098677B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610575796.2
申请日：2016-07-20
Applicant: 北京翰飞电子科技有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/4813 , H01L2924/19107
Abstract: 本发明公布了一种单芯片正交混合耦合器管芯和一种平衡式功率放大器模块，单芯片正交混合耦合器管芯包括先进半导体加工工艺的集成无源器件IPD，IPD结构上至少包括衬底、衬底上至少叠有两层金属走线、金属走线间的介质层和连接金属的过孔；还包括一个或多个片上电感器和片上电容器；片上电感器和片上电容器均都置于同一颗IPD衬底上，无需表贴电感、表贴电容和额外器件装配空间。平衡式功率放大器模块包括输入、输出、驱动放大器、功率放大器和隔离电阻；所有器件均集成在同一模块中；输入和输出均采用上述单芯片正交混合耦合器管芯。本发明具有尺寸紧凑、制造成本低、带内损耗小的优点。
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公开(公告)号：CN106098677A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610575796.2
申请日：2016-07-20
Applicant: 北京翰飞电子科技有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/4813 , H01L2924/19107 , H01L25/072 , H01L23/488
Abstract: 本发明公布了一种单芯片正交混合耦合器管芯和一种平衡式功率放大器模块，单芯片正交混合耦合器管芯包括先进半导体加工工艺的集成无源器件IPD，IPD结构上至少包括衬底、衬底上至少叠有两层金属走线、金属走线间的介质层和连接金属的过孔；还包括一个或多个片上电感器和片上电容器；片上电感器和片上电容器均都置于同一颗IPD衬底上，无需表贴电感、表贴电容和额外器件装配空间。平衡式功率放大器模块包括输入、输出、驱动放大器、功率放大器和隔离电阻；所有器件均集成在同一模块中；输入和输出均采用上述单芯片正交混合耦合器管芯。本发明具有尺寸紧凑、制造成本低、带内损耗小的优点。
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公开(公告)号：CN208256880U
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201820492679.4
申请日：2018-04-09
Applicant: 北京翰飞电子科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本实用新型公布了一种单芯片正交3dB定向耦合器，采用单个芯片，包括管芯、衬底及金属走线；芯片中包括至少六个无源器件；无源器件为电感器或电容器；无源器件中至少两个为电感器；管芯上的两个电感器的构造分别由上层金属走线和下层金属走线平面绕线制成，分别称为上层电感和下层电感；上层电感的上层金属走线与下层电感的下层金属走线重叠，两个电感叠加产生互感；两个电感之间有介质层。管芯上的衬底材料为硅、碳化硅、蓝宝石、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体或者其他掺杂半导体材料中一种或多种。金属走线的材料为金、铜或其他金属。本实用新型外形尺寸紧凑，集成度高；成本低廉；精度可控，一致性好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN108631036B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810310542.7
申请日：2018-04-09
Abstract: 本发明公布了一种单芯片正交3dB定向耦合器，采用单个芯片，包括管芯、衬底及金属走线；芯片中包括至少六个无源器件；无源器件为电感器或电容器；无源器件中至少两个为电感器；管芯上的两个电感器的构造分别由上层金属走线和下层金属走线平面绕线制成，分别称为上层电感和下层电感；上层电感的上层金属走线与下层电感的下层金属走线重叠，两个电感叠加产生互感；两个电感之间有介质层。管芯上的衬底材料为硅、碳化硅、蓝宝石、Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体或者其他掺杂半导体材料中一种或多种。金属走线的材料为金、铜或其他金属。本发明外形尺寸紧凑，集成度高；成本低廉；精度可控，一致性好。
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