公开(公告)号：CN118621294A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410640935.X

申请日：2024-05-22

Applicant: 北京科技大学 ,  北京科技大学顺德创新学院 ,  广东奔朗新材料股份有限公司

Inventor： 魏俊俊 ,  朱芬 ,  黄毅丹 ,  刘宇伦 ,  尹育航 ,  胡辉旺 ,  陈良贤 ,  刘金龙 ,  李成明 ,  高旭辉

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种增强高功率电子器件辐射散热的界面材料的制备方法，涉及高功率电子器件热管理技术领域，包括以下步骤；在金刚石的表面进行催化剂层镀制；热处理后将表面载有金属纳米颗粒层的金刚石放置于化学气相沉积系统中，并通入含碳气体进行垂直碳纳米管的生长，得到碳纳米管/金刚石界面材料。本发明的方法实现了垂直碳纳米管阵列在金刚石上的生长，制备的碳纳米管/金刚石界面材料界面结合性好、传热率高、机械强度好。垂直碳纳米管具有高发射率的超黑特性，在散热的过程中金刚石可迅速将热源的热量分散，然后通过垂直碳纳米管辐射出去，将金刚石/碳纳米管界面材料作为散热片使用能够使高功率电子器件具备更好的散热性。

公开(公告)号：CN118983264A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410880418.X

申请日：2024-07-02

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 原晓芦 ,  黄毅丹 ,  任飞桐 ,  刘金龙 ,  陈良贤 ,  魏俊俊 ,  王文瑞 ,  李成明

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15

Abstract: 一种金刚石器件互连线的制备方法，属于超宽禁带半导体电子器件的加工与制备领域。其特征在于：设计电路版图，清洗金刚石衬底（110）；然后进行光刻工艺，制备器件单元（120）及互连区域（130）；在金刚石表面互连区域镀制金属催化剂（131）；在金刚石表面原位生长导电碳纳米材料（132）作为互连线。本发明在金刚石衬底上获得低阻且稳定的欧姆接触互连线，有效避免目前由超薄金属薄膜形成的互连线断裂后导致器件失效的限制；碳纳米材料互连线可在高温高压的条件下正常工作，能够满足金刚石器件未来工作环境的需求。所得互连线与金刚石衬底的接触电阻低，结合力强，且能耐高温高压工作环境，为未来金刚石基集成电路制备的后端工艺奠定了良好的基础。

公开(公告)号：CN119430157A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411502753.2

申请日：2024-10-25

Applicant: 北京科技大学 ,  北京仿真中心

Inventor： 原晓芦 ,  任飞桐 ,  黄毅丹 ,  郝凯子 ,  杜渐 ,  郑宇亭 ,  李成明 ,  刘金龙 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  王文瑞

IPC: C01B32/162

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管生长中分散金属催化剂纳米颗粒方法，属于碳纳米材料制备领域。其特征在于，包括以下步骤：1）清洗衬底，去除表面污染物与杂质；2）旋涂一层光刻胶于衬底表面，并烘干；3）在带有光刻胶的衬底表面沉积一层金属催化剂薄膜；4）进行催化剂退火处理；5）通入反应气体，进行碳纳米管生长。本发明将光刻胶用于碳纳米管的前序生长阶段，利用高温下光刻胶会发生脱水褶皱的材料属性，可有效阻止退火阶段金属催化剂薄膜发生团聚的现象，具有降低碳纳米管直径、壁数和增加碳纳米管密度的优点。

公开(公告)号：CN118028809A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410120664.5

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李成明 ,  黄毅丹 ,  任飞桐 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  刘金龙 ,  张建军 ,  欧阳晓平

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于稀土金属复合薄膜制备碳纳米管光致发光材料的方法，属于发光材料领域。本发明以双面抛光硅或氧化硅作为衬底材料，通过射频磁控溅射的方法先在衬底上制备过渡金属Fe或N i，形成催化剂薄膜，再在得到过渡金属催化剂薄膜上，通过射频磁控溅射一层稀土金属薄膜Eu，所述稀土Eu薄膜的厚度为10‑20nm。然后通过等离子增强化学气相沉积技术制备多壁碳纳米管。本发明利用磁控溅射沉积稀土金属与过渡金属复合薄膜，生长低成本、高纯度、质量性能稳定的碳纳米管光致发光材料，将具有光热转换性能的碳纳米管与稀土材料相结合，显著提高复合纳米材料的发光性能。

公开(公告)号：CN118028809B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410120664.5

申请日：2024-01-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李成明 ,  黄毅丹 ,  任飞桐 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  刘金龙 ,  张建军 ,  欧阳晓平

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于稀土金属复合薄膜制备碳纳米管光致发光材料的方法，属于发光材料领域。本发明以双面抛光硅或氧化硅作为衬底材料，通过射频磁控溅射的方法先在衬底上制备过渡金属Fe或N i，形成催化剂薄膜，再在得到过渡金属催化剂薄膜上，通过射频磁控溅射一层稀土金属薄膜Eu，所述稀土Eu薄膜的厚度为10‑20nm。然后通过等离子增强化学气相沉积技术制备多壁碳纳米管。本发明利用磁控溅射沉积稀土金属与过渡金属复合薄膜，生长低成本、高纯度、质量性能稳定的碳纳米管光致发光材料，将具有光热转换性能的碳纳米管与稀土材料相结合，显著提高复合纳米材料的发光性能。

公开(公告)号：CN119208439A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411160438.6

申请日：2024-08-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李成明 ,  任飞桐 ,  黄毅丹 ,  原晓芦 ,  杜渐 ,  郝凯子 ,  陈良贤 ,  魏俊俊 ,  刘金龙 ,  欧阳晓平

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/024 ,  H01L31/108 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法，属于光电子器件散热领域。该光电探测器结构从下至上依次是：两层相互垂直的金刚石基液体流动通道、硅、垂直石墨烯及两侧源极和漏极，具体是将钼丝置于具有微槽道的硅衬底上生长金刚石膜，对金刚石膜处理加工新的微槽道后再次放置钼丝沉积金刚石，制备两层相互垂直的金刚石基液体流动通道得到超快冷却结构，再在具有超快冷却结构的硅片平整面上沉积垂直石墨烯膜，最后在垂直石墨烯上镀制金属电极并进行图形化。本发明结合金刚石优异的导热特性，通过两层相互垂直的金刚石基液体流动通道构建超快冷却结构，进而实现高效散热以保证光电探测器的工作稳定性和使用寿命。