公开(公告)号：CN119430157A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411502753.2

申请日：2024-10-25

Applicant: 北京科技大学 ,  北京仿真中心

Inventor： 原晓芦 ,  任飞桐 ,  黄毅丹 ,  郝凯子 ,  杜渐 ,  郑宇亭 ,  李成明 ,  刘金龙 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  王文瑞

IPC: C01B32/162

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管生长中分散金属催化剂纳米颗粒方法，属于碳纳米材料制备领域。其特征在于，包括以下步骤：1）清洗衬底，去除表面污染物与杂质；2）旋涂一层光刻胶于衬底表面，并烘干；3）在带有光刻胶的衬底表面沉积一层金属催化剂薄膜；4）进行催化剂退火处理；5）通入反应气体，进行碳纳米管生长。本发明将光刻胶用于碳纳米管的前序生长阶段，利用高温下光刻胶会发生脱水褶皱的材料属性，可有效阻止退火阶段金属催化剂薄膜发生团聚的现象，具有降低碳纳米管直径、壁数和增加碳纳米管密度的优点。

公开(公告)号：CN119208439A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411160438.6

申请日：2024-08-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李成明 ,  任飞桐 ,  黄毅丹 ,  原晓芦 ,  杜渐 ,  郝凯子 ,  陈良贤 ,  魏俊俊 ,  刘金龙 ,  欧阳晓平

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/024 ,  H01L31/108 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法，属于光电子器件散热领域。该光电探测器结构从下至上依次是：两层相互垂直的金刚石基液体流动通道、硅、垂直石墨烯及两侧源极和漏极，具体是将钼丝置于具有微槽道的硅衬底上生长金刚石膜，对金刚石膜处理加工新的微槽道后再次放置钼丝沉积金刚石，制备两层相互垂直的金刚石基液体流动通道得到超快冷却结构，再在具有超快冷却结构的硅片平整面上沉积垂直石墨烯膜，最后在垂直石墨烯上镀制金属电极并进行图形化。本发明结合金刚石优异的导热特性，通过两层相互垂直的金刚石基液体流动通道构建超快冷却结构，进而实现高效散热以保证光电探测器的工作稳定性和使用寿命。