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公开(公告)号：CN101538062A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101497425A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910079154.3
申请日：2009-03-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化锌径向同质结及其制备方法，属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其制备方法。本发明采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜，以镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，将锌粉、镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成的混合源，放入石英舟中；将等体积的45～150mM的硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]和45～100mM的六亚甲基四胺[C6H12N4]配成溶液，采用溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层，能够实现通过在掺杂氧化锌径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结，并且工艺简单，可以大量制备。
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公开(公告)号：CN102225871A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110099863.5
申请日：2011-04-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约25~90nm，长度为10~20μm。Ga的掺杂含量为0.5~15at.％，Sn的含量为0.5~6at.%。本发明通过控制Sn的含量，在有效改善ZnO形貌的同时，又保证了Ga掺杂ZnO纳米线的发光性能，扩大了ZnO原有领域的应用范围；由于采用的气流量比较小，生长时间相对比较短，其操作简单，成本低，效率高，并且对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101497425B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910079154.3
申请日：2009-03-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种氧化锌径向同质结及其制备方法，属于纳米材料和纳米技术领域，特别涉及一种氧化锌径向同质结及其制备方法。本发明采用化学气相沉积(CVD)方法在硅衬底上沉积氧化锌掺杂薄膜，以镓或氧化铟作为氧化锌中掺杂元素的蒸发源，将锌粉、镓或氧化铟与石墨粉以1∶7～1∶3的摩尔比混合后形成的混合源，放入石英舟中；将等体积的45～150mM的硝酸锌[Zn(NO3)2·6H2O]和45～100mM的六亚甲基四胺[C6H12N4]配成溶液，采用溶液法在CVD制备的产物上沿径向生长氧化锌包覆层，能够实现通过在掺杂氧化锌径向方向包覆一层未掺杂氧化锌，形成径向同质结，并且工艺简单，可以大量制备。
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公开(公告)号：CN101538062B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN102225871B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110099863.5
申请日：2011-04-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法，属于光电子信息功能材料领域，涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法，通过Sn的催化，在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线，纳米线的直径约25~90nm，长度为10~20μm。Ga的掺杂含量为0.5~15at.％，Sn的含量为0.5~6at.%。本发明通过控制Sn的含量，在有效改善ZnO形貌的同时，又保证了Ga掺杂ZnO纳米线的发光性能，扩大了ZnO原有领域的应用范围；由于采用的气流量比较小，生长时间相对比较短，其操作简单，成本低，效率高，并且对环境无污染。
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