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公开(公告)号：CN101372356B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810224592.X
申请日：2008-10-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温至800℃～850℃，保温45～60min，在整个生长过程中，炉腔内始终充入40～50ml/min的氩气，生长结束后管式炉自然冷却到室温，取出硅片，在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。本方法无需真空设备，只需在常压条件下就可以合成出直径为40～370nm，长达30～150μm的Al掺杂ZnO纳米线，而且合成温度低，从而大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101538062B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN101704509A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910238792.5
申请日：2009-11-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明是一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法，称取Zn粉和Fe粉均匀混合后置于刚玉舟内；将硅片镀有金膜面朝下，固定在刚玉舟的上方，通入Ar气，加热后随炉冷却，制得ZnO纳米籽晶。配制生长溶液，加热搅拌后，将制得的ZnO纳米籽晶放入生长溶液中进行生长后，将硅片取出用去离子水洗净，自然风干制得掺杂Al的ZnO纳米柱。该方法结合CVD和溶液生长两种方法的优点，不需要采用在真空中反应，同时生长的温度更低，明显地降低了生产成本，且该方法避免了使用反应釜，可以在常压下进行，简化了实验条件。是一种比较温和，工艺简单、成本低的Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法。
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公开(公告)号：CN101538062A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN101372356A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810224592.X
申请日：2008-10-21
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法，属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源，相邻放置在三氧化二铝舟中，清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方，距离源的垂直距离为1～2mm，然后将舟放入水平管式炉中；将管式炉升温至800℃～850℃，保温45～60min，在整个生长过程中，炉腔内始终充入40～50ml/min的氩气，生长结束后管式炉自然冷却到室温，取出硅片，在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。本方法无需真空设备，只需在常压条件下就可以合成出直径为40～370nm，长达30～150μm的Al掺杂ZnO纳米线，而且合成温度低，从而大大降低了生产成本。
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