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公开(公告)号：CN116105904A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310016372.2
申请日：2023-01-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种残余应力梯度的无损测量方法。其实验平台主要包括一台能量不低于15keV的直通光X射线源、一台面探测器和一台样品加载装置，整体采用透射几何模式。在未加载状态下，使入射X射线从试样一侧扫描至另一侧，获得样品不同层内X、Y方向上晶面{hkl}的晶面间距d值。试样不同层处{hkl}晶面在无应力状态下的晶面间距d0值则根据样品在弹性变形阶段不同应力状态下d‑sin2ψ关系的交点确定。根据胡克定律，最终计算出材料在不同层处X、Y方向上的残余应力梯度。该发明可以快速实现材料内部两个方向上的残余应力梯度的无损测量，准确评价材料内部残余应力的变化情况，有助于完善材料的设计和强化工艺，最终提高材料构件的服役寿命。
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