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公开(公告)号：CN102534279A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019532.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备金属间化合物T2相合金的原位反应热压方法，属于合金材料制备技术领域。其特征在于采用放电等离子烧结炉(SPS)，主要通过控制工艺参数，消除Mo、Si和B三元素之间的低温固-固反应，而利用它们之间的固-液反应原位合成T2相，并充分利用原位反应放出的热量同时一步热压致密，降低热压温度，提高材料致密度，细化组织，简化工序，同时发挥原位合成界面洁净、不含Mo3Si、Mo5Si3、Mo2B、MoB等领先相、纯度高的优点，来制备晶粒细小、高致密、高纯T2相合金，从而最大限度地发挥T2相的良好抗高温氧化性和优异力学性能尤其高温力学性能，最大限度改善T2相合金的性能，并且工艺简便、易于控制、工序简化。
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公开(公告)号：CN102534279B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210019532.0
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备金属间化合物T2相合金的原位反应热压方法，属于合金材料制备技术领域。其特征在于采用放电等离子烧结炉(SPS)，主要通过控制工艺参数，消除Mo、Si和B三元素之间的低温固-固反应，而利用它们之间的固-液反应原位合成T2相，并充分利用原位反应放出的热量同时一步热压致密，降低热压温度，提高材料致密度，细化组织，简化工序，同时发挥原位合成界面洁净、不含Mo3Si、Mo5Si3、Mo2B、MoB等领先相、纯度高的优点，来制备晶粒细小、高致密、高纯T2相合金，从而最大限度地发挥T2相的良好抗高温氧化性和优异力学性能尤其高温力学性能，最大限度改善T2相合金的性能，并且工艺简便、易于控制、工序简化。
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公开(公告)号：CN103058198A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210551533.X
申请日：2012-12-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉表面除氧的方法，属于粉体表面处理技术领域。其特征在于通过在氢氟酸中加入中性溶剂无水乙醇并控制其比例和浓度，提高硅粉表面的润湿性，促使H+、HF2-和H2F2等快速向硅原子扩散。硅粉的除氧工艺是：HF、无水乙醇和去离子水按比例配制出所需除氧液并置于25-60℃恒温水浴中，取出适量待处理的硅粉放入该除氧液，不停搅拌15-60min，然后经过真空过滤器用去离子水清洗过滤3-8次、25-70℃真空干燥，之后立即真空封装保存。其主要优点在于除氧效率高，同时除氧液中不含硫酸等有害物质、不损害硅基体，处理后的粉末具有良好的均匀性和分散性，并且工艺简单、易于控制。
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公开(公告)号：CN103058198B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210551533.X
申请日：2012-12-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种硅粉表面除氧的方法，属于粉体表面处理技术领域。其特征在于通过在氢氟酸中加入中性溶剂无水乙醇并控制其比例和浓度，提高硅粉表面的润湿性，促使H+、HF2-和H2F2等快速向硅原子扩散。硅粉的除氧工艺是：HF、无水乙醇和去离子水按比例配制出所需除氧液并置于25-60℃恒温水浴中，取出适量待处理的硅粉放入该除氧液，不停搅拌15-60min，然后经过真空过滤器用去离子水清洗过滤3-8次、25-70℃真空干燥，之后立即真空封装保存。其主要优点在于除氧效率高，同时除氧液中不含硫酸等有害物质、不损害硅基体，处理后的粉末具有良好的均匀性和分散性，并且工艺简单、易于控制。
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