微波法低温沉积细晶粒金刚石薄膜

    公开(公告)号:CN1032768C

    公开(公告)日:1996-09-11

    申请号:CN91102584.7

    申请日:1991-04-28

    Abstract: 本发明提供了一种用化学气相沉积工艺沉积可用于光学及电学领域的金刚石薄膜技术。其特征在于工作气体中含有0.1-10%的高纯氧气,0.1-10%的高纯甲烷,剩余为高纯氢气,工作气体的压力为1-100t,在金则石膜沉积过程中微波功率为100-500瓦。本发明的优点在于工艺简单、重复性强,突破了金则石薄膜的应用领域,可用于光学、电学领域。

    微波法低温沉积细晶粒金刚石薄膜

    公开(公告)号:CN1066299A

    公开(公告)日:1992-11-18

    申请号:CN91102584.7

    申请日:1991-04-28

    Abstract: 本发明提供了一种用化学气相沉积工艺沉积可用于光学及电学领域的金刚石薄膜技术。其特征在于工作气体中含有0.1—10%的高纯氧气,0.1—10%的高纯甲烷,剩余为高纯氢气,工作气体的压力为1—100τ,在金刚石膜沉积过程中微波功率为100—500瓦。本发明的优点在于工艺简单、重复性强,突破了金刚石薄膜的应用领域,可用于光学、电学领域。

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