公开(公告)号：CN119296980A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411513724.6

申请日：2024-10-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李宏亮 ,  梁倬健 ,  谢铮一 ,  高飞 ,  李增翼 ,  范凯新 ,  任龙薇 ,  连鹏程 ,  王策

IPC: H01G11/48 ,  H01G11/36 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管/树枝状聚合物混合物，其核心在于通过在CNTs表面引入含有四个葡萄糖单位（4‑Gl）的糖二聚体，改善了CNTs的分散性和电极的润湿性，从而显著提高了超级电容器的电容性能。

公开(公告)号：CN119400691A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411537957.X

申请日：2024-10-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  梁倬健 ,  李宏亮 ,  李增翼 ,  范凯新 ,  任龙薇 ,  王浩宇 ,  连鹏程 ,  张鹏

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50

Abstract: 一种在200毫米CMOS试验线上研究和制备石墨烯器件的方法和系统。该方法包括在与CMOS兼容的材料上生长晶圆级高质量石墨烯，采用化学气相沉积(CVD)技术在Si(001)衬底上外延生长Ge(001)层，以利用Ge的催化活性和低碳溶解度。此外，通过电化学分层工艺将石墨烯从生长晶圆(供体)转移到隔离晶圆(目标晶圆)上，实现了低缺陷、大规模的石墨烯转移。